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软件工程得就业前景：如果是软件工程科班出身得话，首先您就比一般自学计算机得人多了一些优势。本专业学生毕业后可在计算机软件专业公司﹑信息咨询公司﹑以及金融等其它独资、合资企业工作。 扩展资料 从事行业： 毕业后主要在新能源、计算机软件、互联网等行业工作，大致如下： 1 新能源 2 计算机软件 3 互联网/电子商务 4 电子技术/半导体/集成电路 5 计算机服务(系统、数据服务、维修) 从事岗位： 毕业后主要从事软件工程师、项目经理、软件开发工程师等工作，大致如下： 1 软件工程师 2 项目经理 3 软件开发工程师 4 测试工程师 5 java开发工程师
首先，巡航导弹体积小，重量轻，便于各种平台携载。海军攻击型核潜艇可垂直携载12—24枚，并可抵近敌沿海发射，因而可打击其纵深1300～2500公里的重要军政目标。水面舰艇一般每舰可携带8～32枚，采用MK-41垂直发射装置后，一艘舰甚至可携带100余枚，由于它能在水面机动发射，所以不易被探测。轰炸机的携载量也越来越大，B-52G经改进后可由12枚提高到20枚，B-1B可携带30枚，改装后的DC-10能携带50～60枚，改装后的“波音-747”则能携带70～90枚。地面发射的“战斧”导弹装在机动的运输—起竖—发射式车上，每辆车载4枚，4台车为一个导弹连，即可发射16枚导弹。导弹发射连的重装备可由C-130或C-5等运输机空运至前沿阵地或发射场。其次，巡航导弹的射程远，飞行高度低，攻击突然性大。例如，“战斧”巡航导弹射程最远达2500公里，最短为450公里，均在敌火力网外发射，因此发射平台很难被对方发现。导弹在海面飞行高度7～15米，平坦陆地为50米以下，山区和丘陵地带为100米以下，基本是随地形的起伏而不断改变飞行高度，而这一高度又都在对方雷达盲区之内，所以也很难被对方发现，极易造成攻击的突然性。另外，导弹采取有效隐身措施后，其雷达反射面积仅为02～1平方米，相当于一只小海鸥的反射面积。新一代巡航导弹在雷达荧光屏上更是只有针尖大小的一个目标光点，很难被探测到。第三，巡航导弹的命中精度高，摧毁能力强。射程2500～3000公里的巡航导弹，命中误差不大于60米，精度好的可达10～30米，基本具有打点状硬目标的能力。携带常规弹头的巡航导弹可摧毁坚固的地面目标，也能用子母弹杀伤和摧毁面状目标。携带20万TNT当量核弹头的巡航导弹由于命中精度高，一般比弹道导弹的作战效能高3～4倍。巡航导弹由于飞行时间长，速度低，飞行高度又恰好在轻武器火力网之内，所以很易遭枪弹等非制导常规兵器的拦击，海湾战争中有3枚“战斧”导弹就是这样被伊拉克击毁的。
巡航导弹的优势还是很多的。所以使用也相当的广泛。空气阻力小，弹头重量一般都会大于巡航导弹。例如印度著名的布拉莫斯巡航导弹，它的射程和中国的P12导弹弹道导弹差不多，不到一半，布拉莫斯的发射重量3吨多。最后就是巡航导弹一般比弹道导弹要便宜。无论是导弹本身还是配套系统，都要便宜，受到的限制少。第二是巡航导弹采用中低空飞行。巡航导弹的最大优势是灵活机动，可以在各种平台上发射，但是它的弹头重量只有200公斤，P12是480公斤我补充一下吧。弹道导弹的投掷能力实际上大于巡航导弹。同一重量级别的弹道导弹的射程，而P12才2吨多。如果是更远的射程，精确度更高，更加隐蔽，难以防范，弹道导弹的优势会更大，因为弹道导弹主要在高空甚至真空中飞行，能量损失小。第三是巡航导弹可以采用多种制导方式比弹道导弹要准很多；4，方便于运载和发射。由于巡航导弹使用航空涡扇或涡喷发动机，所以很省燃料；发射和运载装置也能比较简单；2、价格便宜，适合精确打击高价值目标，这个就不用多说了；3、准，很准、生存能力较强，因为巡航导弹基本是贴地飞行的优点很多了：1、在同等射程下体积小巧，使用效率很高的气动外形 发射平台多样化。 巡航导弹发射平台有空中、水面、水下和陆地等多种平台 机动能力强。 通过不同平台可实现固定或机动发射，灵活多样，攻防兼备。 突防能力强。 由于巡航导弹采用低空低速突防，可有效避开敌方防空雷达和火力的拦截。另外由于大量采用地形匹配跟踪+GPS的精确导航方式，也可采用机动方式避开敌方防空火力。 射程远。与近程弹道导弹相比具有较远的射程，可达2000km以上。 维护简便。 固体燃料、高集成电路的使用，使得巡航导弹体积较小，勤务性较好，发射速度快。有利于快速装填和快速发射 精度高。可实现对高价值目标的毁灭性攻击。 组合攻击。 已发射的多枚巡航导弹可进行组合攻击。既可多枚导弹同时攻击一个目标，亦可分别攻击不同目标。 弹头多样化。根据不同任务目的携带不同弹头（集束炸弹、石墨弹、钻地弹、杀伤弹、反装甲弹等，亦可核常兼备
上海集成电路研发中心有限公司联系方式：公司电话021-60860900，公司邮箱，该公司在爱企查共有7条联系方式，其中有电话号码3条。公司介绍：上海集成电路研发中心有限公司是2002-12-16在上海市浦东新区成立的责任有限公司，注册地址位于中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号。上海集成电路研发中心有限公司法定代表人赵宇航，注册资本30,060万(元)，目前处于开业状态。通过爱企查查看上海集成电路研发中心有限公司更多经营信息和资讯。
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司联系方式：公司电话010-67855000，公司邮箱christina_，该公司在爱企查共有4条联系方式，其中有电话号码1条。公司介绍：北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司是2017-09-25在北京市大兴区成立的责任有限公司，注册地址位于北京市北京经济技术开发区核心区34M3地块。北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司法定代表人张昕，注册资本20,000万(元)，目前处于开业状态。通过爱企查查看北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司更多经营信息和资讯。
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2008年第16届“中国十大杰出青年”获得者是:广州军区某部班长宗道辉; 中国航天科技集团公司第五研究院载人飞船系统副总设计师张庆君 中国乒乓球队运动员张怡宁(女); 德龙钢铁实业有限公司董事长丁立国;北京中星微电子有限公司董事长邓中翰; 湖南省郴州市苏仙区塘溪乡五马垅小学教师盘振玉(女,瑶族); 青藏铁路建设拉萨指挥部指挥长吴维洲; 武汉市公安局巡逻民警处特警大队副大队长毛建东; 新疆杂技团“达瓦孜”队队长阿迪力·吾休尔(维吾尔族);广东恒兴集团有限公司董事长陈丹
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2004年，北京市授予“北京十大杰出青年”；2006年1月21日，“中国十大杰出青年”（10人之一）。
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The power semiconductor device and the micro electron power semiconductor device is in the semiconductor device important link, it and the micro electron component relations is close, because the micro electron component required power semiconductor device forms a complete set provides its power source and the execution If develops rapidly computer, when CPU from 286,486, to gallops I, II, III, IV…When development, to took the power source the power semiconductor request increasingly is also For example the present is developing the voltage to be smaller than 1 volt, on the electric current hundred amperes power sources, this must develop the newest MOSFET component to be able to meet the In order to achieve these renew unceasingly the performance index, the power semiconductor device must use the micro electron component similar fine This will also be this article is detailed The power semiconductor device and the integrated circuit close union, in the one has arranged in order four aspects in the chart: Namely 1) power and micro electron component in chip manufacture craft already day by day close: The power MOS component in order to achieve a better performance, for example requests to pass condition the resistance lowly, its craft already from 20 year ago several microns technologies rapidly to submicron even deep submicron This and the micro electron component development is 2) the MOS component seal technology is also approaching to the integrated These for years, the power MOS component has used has inverted (Flip) likely, ball grid array (BGA) and packing forms and so on multi-chip module (MCM)These all are the quite new integrated circuit packing 3) looked from the component structure that, makes the power MOS component and the integrated circuit in the identical chip perhaps the identical packing, is one of recent development Therefore the power semiconductor device equates simply for established separately the component no longer to be Take the IR Corporation product as the example, the power integrated circuit, perhaps and IC does in the same place power component, as well as the special advanced component, held its product one above the 4) the comprehensive solution (Total Solution) is each kind of component finally Seeks the component the function integrity, in the solution application all questions is the component manufacturer's Had the integrated circuit to enter the power semiconductor device, this kind of comprehensive solution plan was easier to Not only to the low power direction is so, even the high efficiency direction is also pursuing a greater integration rate and the comprehensive Certainly, contains all functions by a component not necessarily forever is the preferred For example must consider the rate of finished products the loss, but also must pay attention to the protection customer to develop the electric circuit on own initiative the