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◆稿件内容应有较高学术水平,有创新点,要求语言流畅,逻辑关系明确。在不影响基本思想表述完整性的前提下,请尽量精炼语句、精简图、表和公式、简化推导和证明过程。◆全文字数应控制在8000字以内,包括图、表、公式中出现的字符。应尽量简练文字,只给出主要公式、图、表,推导部分尽量用参考文献加注的方式给出。◆文章题目不超过20个汉字(每两个英文字母为一个汉字),作者署名人数不超过4人。同时要求提供相应的英文题目和作者的汉语拼音。要求给出作者单位的标准译名、单位所在地和邮政编码。◆要求中、英文摘要以提供文献内容的梗概为目的,不加评论和补充解释,简明、确切地记述文献的重要内容。内容应包括研究目的、方法、结果和结论等,并应尽量反映文章的主要信息,结论最好能量化和具体化。摘要最好控制在200~300字,英文摘要应与中文摘要对应。摘要、引言、结论3者不能重复。要求同时给出3~5个中英文关键词。◆所投稿件主体应包括:①引言;②原理与设计;③实验:一定要有实际实验主电路的详细参数,波形、过程、结果;④结论。◆基金项目及重大科研攻关项目:国家基金和科研项目要求中英文对应,只列出省部级及以上科研和基金项目,请注明名称并提供编号。◆要求提供第一作者的简介,包括:姓名(出生年-)、性别、籍贯、学历或职称以及主要研究方向。◆图形符号及标注符号应按国标规定的画、写,波形图应注明纵横坐标的物理意义,物理量单位及每格多少,并标出原点。两条以上的曲线,应注明每条曲线代表的含义。◆文章最后给出主要参考文献,所引文献必须是有刊号的正规出版物,并应在文中引用处加标注。具体格式请参照模板。◆编辑部有权对稿件做必要的删改。稿件一经发表,即致稿酬,并赠送刊物两册。◆我刊已加入“中国学术期刊(光盘版)”、“中国期刊网”、“万方数据系统科技期刊群”等数据库,我刊付给论文作者的稿酬中已包括上述数据库的稿酬,如作者不同意将文章纳入上述数据库,请来函声明。◆投稿作者请提供手机或固定电话号码、工作单位、通讯地址等,以方便联系。
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崔铮,东南大学(原南京工学院)本科毕业(1981),并获该校硕士(1984)和博士(1988)学位。1989年受英国国家科学与工程研究委员会访问研究基金资助,到英国剑桥大学微电子研究中心做博士后研究。1993年到英国卢瑟福国家实验室微结构中心做高级研究员,1999年以来任微纳米技术首席科学家,曾任微系统技术中心负责人,现负责微纳米技术的工程应用。十多年来先后参加了8项欧洲共同体联合研究项目,并担任其中两个项目的主持人。任欧洲微机电/微光机电设计、测试、集成与封装年会的程序委员会委员,国际微纳光刻、微机电与微光机电系统杂志编委,欧洲第七框架研究计划纳米技术分计划的评审专家,英国国家科研项目评审专家,并应邀为多种学术杂志评审论文;英国物理学会会员,英国工程技术学会(IET)资深会员。1994.年以来开始与国内开展合作,先后受聘为国内多家科研单位与大学的客座研究员、客座教授。先后4次受王宽诚科研奖金资助回国进行合作研究与讲学。2001年以来,先后主持了两项由英国皇家学会资助的中一英联合研究项目。2002年受聘为中国科学院海外评审专家。2004年获中国科学院海外杰出学者(B类)基金。2007年参加中国科学院物理研究所纳米电子材料与器件海外合作团队。 图书目录 1 微纳米技术与微纳米加工技术2 微纳米加工技术的分类3 本书的内容与结构参考文献 1 引言2 光学曝光方式与原理1 掩模对准式曝光2 投影式曝光3 光学曝光的工艺过程4 光刻胶的特性1 光刻胶的一般特性2 正型胶与负型胶的比较3 化学放大胶4 特殊光刻胶5 光学掩模的设计与制作6 短波长曝光技术1 深紫外曝光技术2 极紫外曝光技术3 x射线曝光技术7 大数值孔径与浸没式曝光技术8 光学曝光分辨率增强技术1 离轴照明技术2 空间滤波技术3 移相掩模技术4 光学邻近效应校正技术5 面向制造的掩模设计技术6 光刻胶及其工艺技术7 二重曝光与加工技术9 光学曝光的计算机模拟技术1 部分相干光成像理论2 计算机模拟软件c0MPARE3 光学曝光质量的比较10 其他光学曝光技术1 近场光学曝光技术2 干涉曝光技术3 无掩模光学曝光技术4 激光三维微成型技术5 灰度曝光技术11 厚胶曝光技术1 传统光刻胶2 SU一8光刻胶12 LIGA技术1 用于LIGA的x射线光源2 x射线UIGA掩模3 用于x射线LIGA的厚胶及其工艺4 影响x射线uGA图形精度的因素参考文献 1 引言2 电子光学原理1 电子透镜2 电子枪3 电子光学像差3 电子束曝光系统4 电子束曝光图形的设计与数据格式1 设计中的注意事项2 中间数据格式3 AutoCAD数据格式4 机器数据格式5 电子束在固体材料中的散射6 电子束曝光的邻近效应及其校正7 低能电子束曝光8 电子束抗蚀剂及其工艺1 高分辨率电子束抗蚀剂2 化学放大抗蚀剂3 特殊显影工艺4 多层抗蚀剂工艺9 电子束曝光的极限分辨率10 电子束曝光的计算机模拟11 特殊电子束曝光技术1 变形束曝光2 电子束投影曝光3 多电子束曝光4 微光柱系统曝光参考文献 1 引言2 液态金属离子源3 聚焦离子束系统4 离子在固体材料中的散射5 聚焦离子束加工原理1 离子溅射2 离子束辅助沉积6 聚焦离子束加工技术的应用1 审查与修改集成电路芯片2 修复光学掩模缺陷3 制作透射电镜样品4 多用途微切割工具7 聚焦离子束曝光技术8 聚焦离子束注入技术参考文献 1 引言2 扫描探针显微镜原理3 抗蚀剂曝光加工1 STM曝光2 NSOM曝光4 局部氧化加工5 添加式纳米加工1 扫捕探针场致沉积2 扫描探针点墨法光刻6 抽减式纳米加工1 电化学刻蚀加工2 场致分解加工3 热力压痕法加工4 机械划痕法加工7 高产出率扫描探针加工参考文献 1 引言2 热压纳米压印技术1 热压纳米压印的印模2 热压纳米压印材料3 热压纳米压印的脱模4 热压纳米压印的对准3 室温纳米压印技术4 紫外光固化纳米压印技术1 透明印模2 紫外固化压印材料3 步进闪光压印光刻技术4 透明印模压印的对准5 曝光—压印混合光刻5 反向纳米压印技术6 软光刻技术1 软光刻的印章2 微接触印刷3 毛细管力辅助注模7 塑料微成型技术1 热压成型2 微注塑成型3 浇铸成型参考文献 1 引言2 薄膜沉积技术3 溶脱剥离法4 电镀法5 嵌入法6 模版法7 喷墨打印法参考文献 1 引言2 化学湿法腐蚀技术1 硅的各向异性腐蚀2 硅的各向同性腐蚀3 二氧化硅的各向同性腐蚀3 干法刻蚀之一:反应离子刻蚀1 反应离子刻蚀的原理2 反应离子刻蚀的工艺参数4 干法刻蚀之二:反应离子深刻蚀1 电感耦合等离子体刻蚀系统2 Bosch工艺3 纳米结构的深刻蚀4 反应离子深刻蚀中存在的问题5 干法刻蚀之三:等离子体刻蚀6 干法刻蚀之四:离子溅射刻蚀7 干法刻蚀之五:反应气体刻蚀8 干法刻蚀之六:其他物理刻蚀技术1 激光微加工技术2 电火花微加工技术3 喷粉微加工技术参考文献 1 引言2 侧壁沉积法3 横向抽减法4 横向添加法5 垂直抽减法6 纳米球阵列法7 多步加工法8 超级分辨率法参考文献 1 引言2 自组装过程1 分子自组装2 纳米粒子自组装3 可控自组装1 表面形貌导向2 表面能量导向3 静电力导向4 磁力导向4 纳米系统的基本建筑单元1 DNA构架2 碳纳米管3 嵌段共聚物4 多孔氧化铝参考文献 1 引言2 超大规模集成电路技术3 纳米电子技术4 光电子技术5 高密度磁存储技术6 微机电系统技术7 生物芯片技术8 纳米技术参考文献索引结束语

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第1章 绪论 1  1 电力电子技术简介 1  2 开关电源 6  1 开关电源的分类 6  2 开关电源的发展 7  3 电力电子与相关学科的关系 10第2章 稳态开关电路的分析与建模方法 11  1 变换器稳态分析法 11  1 稳态分析法简介 11  2 电感伏秒平衡、电容电荷平衡原则和小波纹近似法 13  3 Boost变换器 18  4 Buck-Boost变换器 21  2 Cuk、Sepic和Zeta变换器 23  1 Cuk变换器 23  2 Sepic变换器 26  3 Zeta变换器 29  3 6种DC-DC开关变换器基本电路比较 31  4 稳态等效电路模型 32  1 直流变压器模型 32  2 电感铜损耗 34  3 构建等效电路模型 36  5 如何对脉冲输入端建模 39第3章 非连续导电模式的稳态分析 43  1 Buck变换器非连续导电模式的临界条件 43  2 Boost变换器非连续导电模式的临界条件 50  3 Buck-Boost变换器 55  4 Cuk变换器 58  5 Zeta变换器 60  6 Sepic变换器 62第4章 电力电子器件 67  1 电力电子器件概述 67  1 简介 67  2 电力电子器件的发展 68  3 电力电子器件的分类 69  2 功率二极管 69  1 PN结 69  2 PN结的电容效应 70  3 PN结的反向击穿 71  3 功率二极管的结构及特性 71  1 功率二极管稳态伏安特性 72  2 功率二极管开关特性 73  3 功率二极管性能参数 74  4 功率二极管的分类 75  4 晶闸管 76  1 晶闸管的结构 76  2 晶闸管的工作原理 77  3 晶闸管的基本特性 78  4 晶闸管的主要参数 80  5 晶闸管的派生器件 81  6 功率场效应管 84  1 基本结构与工作原理 84  2 多元集成结构 86  3 MOSFET的静态特性 86  4 MDSFET的动态特性 88  5 安全工作区 89  7 功率MOSFET新进展 91  1 CoolMOS 91  2 低压低通态电阻MOSFET 93  8 大功率晶体管 94  1 结构 94  2 工作特性 95  3 GTR的主要参数 96  4 GTR的二次击穿现象与安全工作区 97  9 绝缘栅双极型晶体管 98  1 IGBT基本结构 98  2 IGBT与功率MOSFET的比较 99  3 IGBT的工作原理 99  4 IGBT的特性 101  5 IGBT的开关特性 102  6 IGBT的安全工作区 103  10 几种新型IGBT介绍 104  1 IGBT制造技术的发展历史 104  2 穿通型IGBT 105  3 非穿通型IGBT特性 105  4 逆阻型IGBT 106  5 沟槽终止型与场终止型IGBT 106  11 其他新型电力电子器件概述 107第5章 开关电路 109  1 开关电路变换 109  1 交换源与负载 109  2 开关电路的级联 110  3 三端单元的旋转 112  2 开关电路简单列举 114  3 具有变压器隔离的变换电路 117  1 全桥与半桥隔离式Buck电路 118  2 正激式变换器 123  3 Buck衍生的推挽式开关电路 127  4 反激式开关电路 128  5 Boost电路衍生的隔离式开关电路 130  6 隔离式Sepic和Cuk电路 132第6章 开关电源占空比控制芯片原理 137  1 开关电源系统的隔离技术 137  2 开关电源控制芯片 138  3 电压模式控制芯片 138  4 电流模式控制电路 140  5 软开关电源集成控制器 145  6 单片开关电源 151  1 TOPSwitch-II系列单片开关电源的性能特点 152  2 TOPSwitch-II系列单片开关电源的工作原理 153  3 TOPSwitch-FX系列单片开关电源 158  4 Topswitch-GX第四代单片开关电源 163第7章 小信号开关电路的建模方法 164  1 简介 164  2 基本的交流建模方法 166  1 对电感的波形求均值 167  2 近似均值的讨论 167  3 对电容电流参数的波形求均值 168  4 对输入电流求均值 169  5 微扰和线性化 169  6 小信号等效电路模型的构成 171  7 关于微扰和线性化过程的讨论 173  8 基本变换器的小信号等效模型 174  9 非理想反激式的小信号等效模型 175  3 状态空间平均 179  1 网络的状态方程 179  2 基本的状态空间平均模型 180  3 状态空间平均结果的讨论 182  4 电路平均和平均开关建模 187  1 获得时不变电路 189  2 电路平均 189  3 微扰和线性化 190  4 三端开关网络 193  5 开关电路统一的电路模型 196  6 脉宽调制器的小信号模型 198第8章 开关电路的传输函数及控制部分设计 201  1 波特图回顾 201  1 单实极点响应 201  2 单实零点响应 203  3 较复杂的传输函数 205  2 双极点二次函数 206  3 二型误差放大器 208  4 三型误差放大器 210  5 变换器的传输函数分析 212  6 开关电源控制的设计 218  1 引言 218  2 反馈对传输函数的影响 219  7 稳定性 221  1 相位判据 222  2 相位裕量与品质因数的关系 223  8 补偿器的设计 223  1 简介 223  2 利用二型三型误差放大器做补偿放大器 224  3 超前补偿器 225  4 滞后补偿器 226  5 滞后超前补偿器 227  9 设计实例 228第9章 磁性元件 237  1 磁性材料的基本特性 237  1 磁场的基本物理量 237  2 磁路的欧姆定律 238  3 磁性材料的磁特性及其功率损耗 239  4 线圈中的涡流 241  2 几种常用磁性器件 243  1 直流输出滤波电感 243  2 交流电感 243  3 耦合电感 244  4 变压器 244  5 反激式变压器 245  3 滤波电感设计 245  1 滤波电感设计的基本约束条件 245  2 滤波电感铁芯的几何常数 247  3 滤波电感的设计流程 247  4 多绕组电感的设计 248  5 滤波电感设计举例 249  4 变压器设计 251  1 变压器设计的基本约束条件 251  2 变压器的设计流程 253  3 变压器设计举例 254第10章 软开关变换器简介 258  1 硬开关损耗 258  2 高频化与软开关 259  3 谐振开关的类型 259  1 准谐振开关电路 259  2 零开关PWM电路 262  3 零转换PWM电路 265  附录 常用符号及缩略语 270参考文献 272

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