电压为380V或以上的称之为高压电。电压为220V、110V或以下的均为低电压。电流有交流电和直流电之分，没有经过整流的电流叫交流电经过整流器的交流电即成为直流电。1、安全工作规程中规定，设备对地高压高于250V为高电压，250V以下为低电压，安全电压为36V，安全电流为10mA以下。2、法释（2001）3号解释将1KV定为对周围环境具有高度危险性的起点3、而Definition of National Electric Code(NEC)是600V4、而电力运行则为10KV
超级大神的概念。能写出SCI水平的文章，已经是学识丰富的泰斗了，更何况还在这么短的时间写出了这么多。
高电压技术 审稿结束没有意见：过不了几天就会给出你的结果：是退修、退稿或直接录用，复审已审回是最后的决定阶段，耐心等几天就会有结果。高电压技术特性研究：雷电过电压和内部过电压对输电线路和电工设备的绝缘是个严重的威胁。因此，研究各种气体、液体和固体绝缘材料、半导体在不同电压下的放电特性是高电压技术的重要课题。其中气体包括大气条件下的空气、压缩空气、六氟化硫气体及高真空等常用作输电线路和电工设备绝缘及其他用途的材料。研究如何提高气体绝缘的放电电压，研究影响气体放电的各种因素，如间隙大小、电极形状、作用电压的极性和类型、气体的压力、温度、湿度和杂质等，对确保电工设备的经济合理和安全运行有重要意义。高电压技术系统限制：研究电力系统中各种过电压，以便合理确定其绝缘水平是高电压技术的重要内容。电力系统的过电压包括雷电过电压（又称大气过电压、外部过电压）和内部过电压。其中雷电过电压由雷云直接或间接对变电所或输电线路（避雷线、杆塔或导线）放电造成。一般雷电过电压幅值较高，超过系统的额定工作电压，但作用时间较短，波头时间大多数为5～2微秒，平均波长时间为30微秒，大于50微秒的很少。雷击除了会威胁输电线路和电工设备的绝缘外，还会危害高建筑物、通信线路、天线、飞机、船舶、油库等设备的安全。因此，这些方面的防雷也属于高电压技术的研究对象。
研究电力系统中各种过电压，以便合理确定其绝缘水平是高电压技术的重要内容。电力系统的过电压包括雷电过电压（又称大气过电压、外部过电压）和内部过电压。其中雷电过电压由雷云直接或间接对变电所或输电线路 (避雷线、杆塔或导线)放电造成。一般雷电过电压幅值较高，超过系统的额定工作电压，但作用时间较短，波头时间大多数为5～2微秒，平均波长时间为30微秒，大于50微秒的很少。雷击除了会威胁输电线路和电工设备的绝缘外，还会危害高建筑物、通信线路、天线、飞机、船舶、油库等设备的安全。因此，这些方面的防雷也属于高电压技术的研究对象。电力系统内部过电压是因正常操作或故障等原因使电磁状态发生变化，引起电磁能量振荡而产生的。其中衰减较快、持续时间较短的称为操作过电压；无阻尼或弱阻尼、持续时间长的称为暂态过电压。对110～220千伏电力系统，内部过电压水平一般取 3倍最大工作电压；对330～500千伏电力系统，需要采取一些限制措施，取2～5倍。对特高压电力系统，进一步限制内部过电压具有巨大的经济价值，从前景来看限制到5～8倍最大工作电压是完全可能的。 高压电工设备的绝缘应能承受各种高电压的作用，包括交流和直流工作电压、雷电过电压和内部过电压。研究电介质在各种作用电压下的绝缘特性、介电强度和放电机理，以便合理解决电工设备的绝缘结构问题是高电压技术的重要内容。雷电过电压和内部过电压对输电线路和电工设备的绝缘是个严重的威胁。因此，研究各种气体、液体和固体绝缘材料在不同电压下的放电特性是高电压技术的重要课题。其中气体包括大气条件下的空气、压缩空气、六氟化硫气体及高真空等常用作输电线路和电工设备绝缘及其他用途的材料。因此，研究如何提高气体绝缘的放电电压，研究影响气体放电的各种因素，如间隙大小、电极形状、作用电压的极性和类型、气体的压力、温度、湿度和杂质等，对确保电工设备的经济合理和安全运行有重要意义。在采取措施限制雷电过电压和内部过电压的情况下，随着电压等级的提高，工作电压对绝缘特性的影响越来越重要。在工作电压作用下超高压输电线路和电工设备的电晕放电、局部放电、绝缘老化、静电感应、无线电干扰、噪声等现象都是高电压技术研究的课题。在工程上经常利用一些气体放电的特性来解决许多高电压技术领域中所遇到的科学技术问题，如利用球隙放电测量高电压；用各种间隙放电来限制过电压；利用电晕放电时产生稳定的电晕层以改善电场分布，从而提高间隙的放电电压等。 高电压领域的各种实际问题一般都需要经过试验来解决。因此，高电压试验设备、试验方法以及测量技术在高电压技术中占有格外重要的地位。为了在试验室或现场研究电介质或电工设备的绝缘特性以及适应于不同科技领域的高电压技术的应用，需要有各种类型的高电压发生装置。常见的高电压发生装置有：由工频试验变压器及其调压设备等组成的工频试验设备；模拟雷电过电压或操作过电压的冲击电压发生装置；利用高压硅堆等作为整流阀的高压直流发生装置。高电压技术 以上这些高电压试验装置的共同特点是：输出电压高；对输出电压的波形、幅值的调节要求高；输出电流和功率一般不大；试验时持续运行的时间较短。此外，由于近代科学技术发展的需要，各冲击电流发生装置得到越来越多的应用。冲击电流发生装置要求在很短的时间内产生很大的冲击电流，如用在核物理、加速器、激光等领域的大型冲击电流装置能产生数百万安培的冲击电流。在电力部门，冲击电流发生装置主要用于模拟雷电流，检验某些电工设备在雷电过电压和操作过电压作用下的通流能力。在电工制造部门，冲击发电机和振荡回路产生强电流，用以模拟电力系统短路电流，检验开关设备以及高压电缆等在系统短路工况下耐受短路电流的能力。
电工技术核心期刊（电气类）排名1．中国电机工程学报电工技术学报电力系统自动化电网技术高电压技术电池电源技术电化学电工电能新技术中国电力高压电器继电器电力电子技术变压器电工技术杂志电气传动中小型电机低压电器电力自动化设备蓄电池微电机微特电机电机与控制学报电力系统及其自动化学报电气自动化电测与仪表大电机技术华北电力大学学报
首先要分清楚，现在杂志有正刊，副刊，增刊，子刊等等，除了正刊是可以的，其他都不属于正规期刊，不管是评职称，还是学术研究，都不能用的
下面列出了电气工程专业的SCI期刊（按影响因子排序） IEEE Transactions on Industrial Electronics (2014 IF=498 一区): 控制、仪表、电气（电机、电力电子、电力系统的设备，只要和电力电子沾上边的都可以） IEEE Transactions on Power Electronics (2014 IF=008 一区)：电力电子 IEEE Transactions on Smart Grid (2014 IF=252 一区)：智能电网 IEEE Industrial Electronics Magazine (2014 IF=031 一区)：同1（包括非技术领域） IEEE Transactions on Sustainable Energy (2014 IF=656 二区)：新能源（光伏、风力发电等） IEEE Transactions on Power Systems (2014 IF=814 二区)：电力系统 IEEE Transactions on Energy Conversion (2014 IF=326 二区)：电气设备、器件、系统 IET Renewable Power Generation (2014 IF=904 三区)：新能源 IEEE Transactions on Industry applications (2014 IF=756 三区)：电气设备、器件、系统的工业应用 Electric Power Systems Research (2014 IF=749 三区)：电力系统 IEEE Transactions on Power Delivery (2014 IF=733 三区)：输配电和保护装置 IET Power Electronics (2014 IF=683 三区)：电力电子 IEEE Power & Energy Magazine (2014 IF=593 三区)：电力能源（包括非技术领域） IEEE Transactions on Magnetics (2014 IF=386 三区)：磁学相关（电机、变压器） IET Generation Transmission & Distribution (2014 IF=353 三区)：输配电 IEEE Transactions on ELectromagnetic Compatibility (2014 IF=297 三区)：电磁兼容 IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation (2014 IF=278 三区)：电气绝缘 IEEE Transactions on Applied Superconductivity (2014 IF=235 四区)：超导应用 Progress in Electromagnetics Research-PIER (2014 IF=229 四区)：电磁研究 IET Electric Power Applications (2014 IF=211 三区)：电机类技术 International Journal of Applied Electromagnetics and Mechanics (2014 IF=815 四区)：电磁场类（计算等） Journal of Power Electronics (2014 IF=777 四区)：电力电子 International Transactions on Electrical Energy Systems (2014 IF=490 四区)：电力系统 IEEE Industry Applications Magazine (2014 IF=352 四区)：电气设备、器件、系统的工业应用（包括非技术领域） IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering (2014 IF=213 四区)：电气工程
[1] 周力行,李毅,窦鹏混沌分形理论在变压器油热老化故障诊断中的应用电工技术学报 2008,23(12): 38-44[2] 周力行,李卫国,文习山电磁矢量传感器用于变压器局部放电在线检测高电压技术, 2006,32(4):37-[3] 周力行, 李卫国,文习山利用辐射UHF信号反演局部放电脉冲电流 电力系统自动化, 2006,30(8):75-[4] 周力行, 李卫国, 文习山 由UHF信号估算油中尖板电极局放脉冲波形高电压技术, 2006,32(6):31-[5] 周力行,李卫国,邓本再 基于混沌控制的局部放电窄带干扰抑制高电压技术, 2004, 30(10):39-[6] 周力行,李卫国,陈允平 基于混沌控制的局放周期性脉冲干扰抑制 电力系统自动化, 2004,28(15):90-[7] 周力行,何蕾变压器局部放电超声信号特性及放电源定位高电压技术, 2003, 29(5): 11-[8] 周力行变压器局部放电检测中的小波包去噪算法高电压技术,2001, 27(1):19-23[9] 周力行,邓本再 基于混沌遗传算法的局部放电超声定位方法研究长沙电力学院学报, 2004, 19(1):43-46[10]Zhou Lixing, Zhou R Development of On-line monitoring System for Vacuum Degree of Vacuum S IEEE 40th IAS’2005, Hong Kong, C12 O 848-851[11]Zhou Lixing, Deng B Characteristic Analysis of Partial Discharge’s Electromagnetic Signal Based on Wavelet T Proceedings of the 7th ICEMI’2005, Beijing, C 12 August 255-259[12]Lixing Z Chaotic Algorithm for Detecting Partial Discharge of T IEEE/PES Transmission and Distribution Conference & Exhibition: Asia and Pacific, Dalian, C 20 August 2005[13]Lixing Zhou, Weiguo L The Deduction of Partial Discharge Pulse Current from Its Radiating UHF S International Power Engineering Conference (IPEC), S D 189-193[14]Zhou Lixing, Li W Partial Discharge Sources Detection and Location with an Electromagnetic Vector S 1st IEEE Conference on Industrial Electronics and Applications (ICIEA), Singapore, May, 615-619[15]Gaojie Wang, Lixing Zhou, Weiguo L Study of Transformer’s PD Sources Number Estimation and Falsity PD Sources E 2006 International Conference on Power System Technology, Chongqing, China, 22-26 October, [16] Yini, Luo; Lixing, Z A method to locate partial discharge based on the theory of sectional winding transfer I C E M I, ICEMI2007, p 2493-[17]李雷,周力行,文习山 基于混沌分形理论的XPLE电缆老化特征研究电力系统自动化 2009, 33(5): 76-79[18]宋明零,周力行,邓勇HHT与傅立叶变换在电网故障分析中的仿真比较研究 电瓷避雷器2011,(6):21-24[19]黄超,周力行,陈众变压器绝缘油智能化故障诊断系统研制变压器2010（8）：66-69[20]李小龙，周力行等小电源接入配网后的线损理论计算方法研究，电工电能新技术，2011（4）：21:25[21]李飞,周力行,黄辉先500kV变电站并联电抗器雷电侵入波仿真研究 电瓷避雷器,2008,(4)[22]李飞,崔文杰,黄欣 500 kV变电站等电位连接铜缆方式研究高压电器2009,（4）
我也遇到了同样的问题，是挺闹心的。。。你现在问题解决了吗？求支招。。。
评审，表明稿件正在被外审专家审阅。刚开始投是“新到稿件”，之后是“待审稿”，再是“评审”
[1] Tang Xin, KM Tsang, W L C Active Power Filter Using Nonlinear Repetitive Controller, International Journal of Control, Automation, and Systems, 2011 9(1):132-[2] 唐欣，罗安有源电力滤波器的双闭环串级控制中国电机工程学报,2008,28(24)：59-（EI收录）[3] 唐欣，罗安基于递推积分PI混合型有源滤波器的电流控制中国电机工程学报，2003，23(10)：38- （EI收录）[4] 唐欣，罗安大功率IGBT模块缓冲电路的多目标优化设计中国电机工程学报，2004，24(11)：144- （EI收录）[5] 唐欣，罗安 基于重复控制的有源滤波器的三态滞环控制方法 电工技术学报，2009,24(9)：134- （EI收录）[6] 唐欣，罗安新型注入式混合有源滤波器的研究电工技术学报，2004，19(11)：50-[7] 唐欣，罗安有源电力滤波器的递推积分PI控制控制理论与应用2004，21(4)：631- （EI收录）[8] 唐欣，罗安一种有源电力滤波器的电流控制新方法电力系统自动化，2004，28(13)：31- （EI收录）[9] 唐欣，罗安并联型有源滤波器中输出滤波器的参数设计及优化电力电子技术，2005，39（50）：91-[10] 唐欣，曾祥君，涂春鸣 新型谐振式混合有源滤波器的研究高电压技术,2007,33(1):11-[11] 唐欣，罗安10KV配电网混合型有源滤波器的研制电力电子技术，2008，42（2）：3-[12] 唐欣,胡欣欣无直流电压传感器的有源滤波器研究[J] 电力自动化设备,2011,31(1):31-（EI收录）[13] Tang Xin, Zeng Xiangjun, Tu C The Engineering Design and Optimization of Inverter Output LCR Filter in Parallel Active Power F POWERCON2006, 2006， （EI收录）[14] Tang Xin, Zeng Xiangjun, Tu C A sliding DFT algorithm for electric power ISICT 2006， （EI收录）[15] Tang Xin, Zeng Xiangjun, Tu C LCR Output Filter Design of the Inverter in Parallel Active Power F APSCOM 2006,2006，[16] Tang xin, Ma Current control active power filters assited by repetitive ICICTA （EI收录）
增刊，学校是不认可的，也不会被 ei检索。咱们国内的ei期刊也就那么几本，你在中国知网可以查到的。
本科毕业设计（论文） 文献综述 院 （系）： 专 业： 班 级： 学生姓名： 学 号: 年 月 日 本科生毕业设计（论文）文献综述评价表 毕业设计（论文）题目 综述名称 注意综述名称（综述内容中不要出现本课题怎么样等等） 评阅教师姓名 职称 评 价 项 目 优 良 合格 不合格 综述结构 01 文献综述结构完整、符合格式规范 综述内容 02 能准确如实地阐述参考文献作者的论点和实验结果 03 文字通顺、精练、可读性和实用性强 04 反映题目所在知识领域内的新动态、新趋势、新水平、新原理、新技术等 参考文献 05 中、英文参考文献的类型和数量符合规定要求，格式符合规范 06 围绕所选毕业设计（论文）题目搜集文献 成绩 综合评语： 评阅教师（签字）： 年 月 日 文献综述： 小四号宋 空一行 标题 二号黑居中 空一行 1 XXX 三号黑 XXX 小四号宋，行距20磅 1 XXXX 小三号黑 XXX 小四号宋，行距20磅 1 XXX 四号黑 XXX 小四号宋，行距20磅 空一行 2 XXXX 三号黑 (空1行) 参 考 文 献 (空1行) [要求按国标GB 7714—87《文后参考文献著录规则》书写，例如：] [1] 袁庆龙，候文义．Ni-P合金镀层组织形貌及显微硬度研究［J］．太原理工大学学报，2001，32(1)：51-53 ．（宋体五号，行距固定值20磅） [2] 刘国钧，王连成．图书馆史研究［M］．北京：高等教育出版社，1979：15-18，31． 下面的是我的文献综述 文献综述: FTO透明导电薄膜的溅射法制备 1 前言 为了更好的开展毕业论文及毕业实验工作，在查找和阅读与《DSSC用FTO透明导电玻璃的溅射法制备》相关的文献和资料，完成撰写了本文献综述。随着科技的日趋成熟，导电玻璃的制备方法也越来越成熟，种类也衍生得越来越多。 本文章将对国内外的制备方法，种类，发展现状及趋势，工艺性能，退火处理对性能的影响等方面做一简要介绍。 2透明导电玻璃的种类及制备方法简介 1透明导电玻璃的种类 1 1 TCO导电玻璃 TCO（Transparent Conductive Oxide）玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃，是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜而形成的组件主要包括铟、锡、锌、铬的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。 2 ITO透明导电玻璃 ITO透明导电玻璃全称为氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。 ITO玻璃产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。 3FTO透明导电玻璃 FTO透明导电玻璃为掺杂氟的SnO2导电玻璃(SnO2:F)，简称为FTO。FTO玻璃可以做为ITO导电玻璃的替换用品，广泛用于液晶显示屏，光催化，薄膜太阳能电池基底等方面，市场需求极大 FTO玻璃因其特殊性，在染料敏化太阳能电池，电致变色和光催化方面对其透光率和导电率都有很高的要求，其综合性能常用直属FTC来评价：FTC＝T10／RS。T是薄膜的透光率，RS是薄膜的方阻值；在光学应用方面，则要求其对可见光有好的透射性和对红外有良好的反射性。对其基本要求是：①表面方阻低，②透光率高，③面积大、重量轻，④易加工、耐冲击。 2FTO透明导电玻璃制备方法 FTO透明导电玻璃的制备方法有，物理方法：溅射法、真空蒸发镀膜法、离子辅助沉积镀膜法等；化学方法：喷雾热解法、溶胶-凝胶法和化学气相沉积法等。目前适合批量生产且研发较多的有真空蒸发镀膜法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解等方法！［1］化学气相沉积法和真空镀膜法制备的薄膜和玻璃基板的结合强度不够，溶胶-凝胶法制备的导电薄膜电阻较高。适合于批量生产且已经形成产业的工艺，只有磁控溅射法和溶胶－凝胶法。特别是，溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜。 1磁控溅射法镀膜： 溅射镀膜(sputtering deposition)是指用离子轰击靶材表面，使靶材的原子被轰击出来，溅射产生的原子沉积在基体表面形成薄膜。溅射镀膜有二级、三级或四级溅射、磁控溅射、射频溅射、偏压溅射、反应溅射、离子束溅射等装置。 目前最常用的制备CoPt 磁性薄膜的方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。 2真空蒸发镀膜： 真空蒸发镀膜(vacuum vapor deposition)是在工作压强低于10-2 Pa，用蒸发器加热物质使之汽化蒸发到基片，并在基片上沉积形成固态薄膜的一种工艺方法。真空蒸发的加热方式主要有电阻加热蒸发、电子束加热蒸发、高频加热蒸发和激光加热蒸发等。对于镀制透明导电氧化物薄膜而言，其真空蒸发镀膜工艺一般有三种途径：(1)直接蒸发氧化物；(2)采用反应蒸发镀，即在蒸发金属的同时通入氧气进行化学反应生成金属氧化物；(3)对蒸发金属镀膜进行氧化处理。 3溶胶-凝胶法： 溶胶-凝胶法(so1-gel)是近年来发展起来的能代替高温固相合成反应制备陶瓷、玻璃和许多固体薄膜材料的一种新方法。它将金属醇盐或无机盐经溶液、溶胶、凝胶而周化，再将凝胶低温处理变为氧化物的方法，是应用胶体化学原理制各无机材料的一种湿化学方法。溶胶-凝胶工艺是一种制备多元氧化物薄膜的常用方法。按工艺可分为浸涂法和旋涂法。浸涂法是将衬底浸人含有金属离子的前驱体溶液中，以均匀速度将其提拉出来，在含有水分的空气中发生水解和聚合反应，最后通过热处理形成所需薄膜；而旋涂法则是通过将前体溶液滴在衬底后旋转衬底获得湿膜。 4化学气相沉积法： 化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态薄膜沉积在加热的固态衬底表面，是一种重要的薄膜制各方法。CVD法所选的反应体系必须满足：(1)在沉积温度下，反应物必须有足够的蒸汽压；(2)化学反应产物除了所需的沉积物为固态外，其余必须为气态；(3)沉积物的蒸汽压应足够低，以保证能较好地吸附在具有一定温度的基体上，但此法因必须制各具有高蒸发速率的铟锡前驱物而使生产成本较高。影响化学气相沉积薄膜的工艺参数很多，包括基体温度、气压、工作气体流量和反应物及其浓度等。 化学气相沉积技术的主要特点包括：设备及工艺简单、操作维护方便、灵活性强；适合在各种形状复杂的部件上沉积薄膜：由于设备简单，薄膜制备的成本也比较低。但是，薄膜的表面形貌很大程度上受到化学反应特性以及能量撒活方式的影响。 5喷雾热分解法： 喷雾热分解法是化学法成膜的一种，其过程与APCVD法比较相似。它是将前驱体溶液在高压载气的作用下雾化，然后输送到基片表面，在高温作用下，前驱体溶液发生一系列复杂的化学反应，在基片表面上得到需要的薄膜材料。而反应副产物一般是通过气相形式排出反应腔。常用的高压载气主要有：压缩空气、氮气、氩气等等。但是由于压缩空气中常含有大量的水蒸气，所以用氮气作为载气的情形比较多。如果需要在基片表面上发生分解反应，基片温度一般在300℃以上，在玻璃上制备FTO薄膜的基片温度一般为500℃。影响最终薄膜性能的喷涂参数有：载气压力、前驱体溶液流量、基片温度、喷口与基片的距离、喷枪移动速度等等［2］。在成膜过程中基材的温度、液体的流速、压缩气体的压力以及喷嘴到基材的距离等参数均可实现精确控制［3］。 3 FTO透明导电玻璃的研究现状、应用及发展趋势 1FTO透明导电玻璃的研究现状 自1907年Badeker首次报道了热氧化溅射的Cd薄膜生成半透明导电的CdO薄膜，引发了对透明导电氧化物(TCO)薄膜的研究。1950年前后出现了硬度高，化学稳定性好的SnO2基薄膜及综合光电性能优良的In2O3基薄膜，ZnO基薄膜的研究始于2O世纪80年代 。目前研究和应用较多的TCO薄膜主要有SnO2、In2O3。和ZnO基三大体系，其中以In203：Sn(ITO)，SnO2 ：F(FTO)和ZnO：Al(ZAO)最具代表性，这些薄膜具有高载流子浓度(1018～1021cm-3)和低电阻率(10-3～1O-4Ω•cm)，且可见光透射率8O％～90％，使这些薄膜已被广泛应用于平面显示、建筑和太阳光伏能源系统中。［4］ 已经商业化应用的TCO薄膜主要是In2O3Sn(ITO)和SnO2：F(FTO)2类，ITO由于其透明性好，电阻率低，易刻蚀和易低温制备等优点，一直是显示器领域中的首选TCO薄膜。FTO薄膜由于其化学稳定性好，生产设备简单，生产成本低等优点在节能视窗等建筑用大面积TCO薄膜中，具有很大的优势［5］。 Sn02：F（FTO）掺杂体系是一种n型半导体材料，表现出优良的电学和光学性能，并且耐腐蚀，耐高温，成本低，化学稳定性好，是现在研究较多，应用范围较广的一类TCO薄膜。苗莉等［6］采用喷雾热解法，以NH4F、SnCl2•2H20为原料，在普通玻璃衬底上制备出了方块电阻最低达到2Ω/口，可见光透光率为95％的FTO薄膜，且薄膜晶粒均匀，表面形貌平整致密。Yadav等［7］采用喷雾热解法，制备了不同厚度的FTO薄膜，最低电阻率达到91 X 10-4 Ω•cm。Moholkar等［8］采用喷雾热解法，制备了不同掺F浓度的FTO薄膜，研究了氟的掺杂浓度对Sn02薄膜的光学，结构和电学性能的影响。中国科学院等离子体物理研究所的戴松元小组［9、10］将FTO用于染料敏化太阳电池的透明电极，并获得较高的光电转换效率。 射频溅射： 射频溅射的基本原理是射频辉光放电。国内外射频溅射普遍选用的射频电源频率为13．56MHz,以防止射频信号与无线电信号的相互干扰。通常直流溅射的基本过程是，从阴极发出的电子，经过电场的加速后获得足够的能量，可以使气氛气体发生电离。正离子在电场作用下撞击阴极表面，溅射出阴极表面的原子、分子到衬底表面发生吸附、凝聚，最终成膜。 直流溅射不能用于绝缘体材料的薄膜制备，因为绝缘材料在受到正离子轰击时，靶材表面的正离子无法中和，使靶表面的电位逐渐升高，导致阴极靶与阳极问的电场减小，当靶表面电位上升到一定程度时，可以使气体无法电离，溅射无法进行。而射频溅射适合于任何一种类型的阻抗耦合，电极和靶材并不需要是导体，射频溅射非常适合于制备半导体、绝缘体等高熔点材料的薄膜。在靶材表面施加射频电压，当溅射处于上半周时，由于电子的质量比离子的质量小很多，故其迁移率很高，用很短时间就可以飞向靶面，中和其表面积累的正电荷，从而实现对绝缘材料的溅射，并且在靶表面又迅速积累起了大量的电子，使其表面因空间电荷而呈现负电位，导致在射频溅射正半周期，也可吸引离子轰击靶材。从而实现了在电压正、负半周期，均可溅射。磁场的作用是将电子与高密度等离子体束缚在靶材表面，可以提高溅射速度。［11］ 用JPGF一450型射频磁控溅射系统在玻璃衬底上制备SnO2：F薄膜，系统的本底真空度为10-3Pa．溅射所用陶瓷靶是由纯度为99％SnO2和NH4F，粉末经混合、球磨后压制成坯，再经1300℃烧结而成，靶中NH4F的重量比是78％，用纯度为99．99％ 的氩气和氧气作为工作气体，由可控阀门分别控制气体的流量。溅射过程中，控制真空室内氩气压强为1Pa，氧分压为5—5 Pa，靶与衬底间的距离为5cm．溅射功率为150W，溅射时间为25 min，衬底温度为100℃。用RIGAKU D／MAX—yA型x射线衍射(XRD)仪(CuKa辐射波长，154178 nm)测试样品的结构，用APHM一0190型原子力显微镜(AFM)观测样品的表面形貌，使用 rv一1900型紫外可见光分光光度计测量样品的吸收谱，使用激发源为325 nm的He—Cd激光器的光谱仪测量样品的室温光致发光谱，使用普通的万电表测试它的导电性（前提是尽量保持测量条件的一致性）。 2FTO透明导电玻璃的应用 FTO透明导电玻璃具有优良的光电性能，被广泛用于太阳能电池的窗口材料、低损耗光波导电材料及各种显示器和非晶硅太阳能电池中作为透明玻璃电极等，与生活息息相关。 1在薄膜太阳电池上的应用 太阳能电池是利用光伏效应，在半导体p-n结直接将太阳光的辐射能转化成电能的一种光电器件。TCO薄膜是太阳电池关键材料之一，可作为染料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cells，DSCS)［12］等的透明电极，对它的要求是：具有低电阻率(方块电阻Rsh约为15Ω/□)；高阳光辐射透过率，即吸收率与反射率要尽可能低；化学和力学稳定性好的特点。在薄膜太阳电池中，透明导电膜充当电极，具有太阳能直接透射到作用区域几乎不衰减、形成p-n结温度较低、低接触电阻、可同时作为防反射薄膜等优点。 2在显示器上的应用 显示器件能将外界事物的光、声、电等信息，经过变换处理，以图像、图形、数码、字符等适当形式加以显示。显示技术的发展方向是平板化。在众多平板显示器中，薄膜电致发光显示由于其主动发光、全固体化、耐冲击、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，引起广泛关注，并发展迅速。FTO薄膜具有可见光透过率高、电阻率低、较好的耐蚀性和化学稳定性，因此被广泛用作平板显示器的透明电极。 3在气敏元件上的应用 气体传感器是把气体的物理、化学性质变换成易处理的光、电、磁等信号的转换元件。半导体气体传感器是采用金属氧化物或金属半导体氧化物材料做成的元件，与气体相互作用时产生表面吸附或反应，引起以载流子运动为特征的电导率或伏安特性或表面电位变化。二氧化锡薄膜气敏器件具有灵敏度高、响应速度和恢复速度快、功耗低等特点，更重要的是容易集成。随着微电子技术的发展，传感器不断向智能化、微型化方向发展。［13］ 4在建筑幕墙玻璃及透明视窗上的应用 喷雾热解法制各的FTO薄膜能用于阳光节能玻璃，对可见光高透射，但对红外光高反射，其反射率大于70％。让阳光中可见光部分透过，而红外部分和远红外反射。阳光中的可见光部分对室内采光是必需的，但可将红外部分的热能辐射反射回去，能有效调节太阳光的入射和反射。利用FTO薄膜在可见光区的高透射性和对红外光的高反射性，可作为玻璃的防雾和防冰霜薄膜。 3 FTO透明导电玻璃的发展趋势 随着LCD的商品化、彩色化、大型化和TFT的驱动或太阳能电池的能量转变效率的提高，人们对透明导电氧化物（TCO）薄膜的要求越来越严格，至少需要满足如下条件： (1)导电性能好，电阻率较低； (2)可见光内透光率较高： (3)镀膜温度更接近室温，能大面积均匀地镀膜； (4)膜层加工性能好，可以进行高精度低损伤腐蚀； (5)热稳定性及耐酸、碱性优良，硬度高； (6)表面形状良好，没有针孔； (7)价格较低，可实现大规模工业化生产。 目前，TCO薄膜已普遍达到下列水平：膜厚为500 nm的情况下电阻率在10-4 Ω•cm数量级，在可见光区透光率达80％，载流子迁移率一般达到40cm2／(v•s)。虽然TCO薄膜的性能指标可以满足当前应用需要，但随着器件性能的不断提升，对TCO薄膜提出了更高的性能要求。一些学者提出了TCO薄膜发展的一个量化的前景指标：禁带宽度>3 eV，直流电阻率～5×10-5 Ω•cm，可见光段在自由电子作用下的吸收系数<2x103 cm-1，载流子迁移率>100 cm2／(v•s)。 几十年来，人们一直在努力提高透明导电薄膜的透明性和导电性。SnO2：F（TFO）透明导电薄膜由于其兼备低电阻，高的可见光透过率，近红外高的反射率，优良的膜强度和化学稳定性等优点，越来越受到人们的青睐，必将在平板显示器件、建筑物玻璃和气敏传感器等众多领域中得到更广泛的应用。利用溅射法制备FTO透明导电玻璃它的生产工艺简单，操作方便，利于控制。成本较低，原料易得，但在制备过程中NH4F加热分解放出有污染的氮氧化物和氨烟，这对以后商业化生产造成了很大的制约。所以对原料的改进和污染的控制方面还有待开发。 4 制备条件对膜结构及光电性能的影响 长安大学材料科学与工程学院段理等做了磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究实验，发表了文献［14］，并在文献14中得出了1——3的结论。 1制备条件对膜厚的影响 文献中采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜，当薄膜淀积时间从30rain延长到90min时，薄膜的厚度几乎按照线性关系从约270nm增加到820nm，即薄膜的淀积速率大致稳定在9nm／min左右，为匀速生长。溅射功率与膜厚呈线性增长，及沉淀速率与溅射功率大致呈线性关系。 2制备条件对膜结构的影响 晶体质量随溅射功率的增大而降低，随溅射气压的增大而降低。 3制备条件对膜光电性质的影响 在固定溅射总气压的条件下，增大氧分压可以增强薄膜的紫外发光强度，增大薄膜的载流子浓度。 4 退火对薄膜的影响 退火能显著提高薄膜晶体质量，并增强薄膜的PL发光强度和导电能力，其原因是退火能使银离子完成对锌离子的替代从而形成受主。［15］ 5 退火后处理对膜结构与成分的影响 光敏薄膜的光电、形貌性能与退火处理密切相关，退火处理优化了薄膜表面形貌、减小了光学能隙、增大了薄膜的导电率和载流子迁移率。光敏薄膜性能的优化，有利于增大聚合物太阳电池的填充因子、开路电压和短路电流，对于提高其能量转换效率、改善器件光伏性能具有非常重要的意义。［16］分别对较低氧分压反应磁控溅射制备的 薄膜进行氧化性气氛和惰性气氛退火。通过XRD和SEM 分析，发现氧化性气氛退火薄膜为表面多孔的金红石结构 ，而惰性气氛退火薄膜表面较为致密，结构分析不仅观察到金红石结构的 ，还发现了四方结构的 。XPS表面分析进一步表明，氧化性气氛退火后，薄膜成分单一，未氧化的 完全氧化成稳定的 ，而且具有稳定结构的 薄膜表面吸附水很少。相对而言，惰性气氛退火后，薄膜表面 、 和 共存，表面化学吸附氧和吸附水较明显，薄膜的稳定性降低。［17］ 6 FTO导电玻璃制备相关参数 根据范志新等所提出的理论表达式： 带入相关数据可得到，SnO2:F（FTO）的最佳掺杂含量为54%［18］通过对比总结，参考大量数据，选择溅射功率：100W，溅射压力：5Pa，溅射时间：5h，溅射靶距：38mm［13、19］做产品。进行相关参数的选择与优化。 7 参考文献 1、张志海， 热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜及其性能研究 合肥工业大学 2、汪振东， 玻璃基TiO<,2>-SiO<,2>/SnO<,2>：F薄膜的喷雾热分解法制备和表征 武汉理工大学 3、郝喜红， 喷雾热解法制备掺杂二氧化锡导电薄膜 西安建筑科技大学 4、张明福等， 透明导电氧化物薄膜研究的新进展 压电与声光 5、方俊 杨万莉， n型透明导电氧化物薄膜的研究新进展 陶瓷 6、苗莉等， SnO2:F导电薄膜的制备方法和性能表征 材料导报 7、Yadav A A，Masumdar E U，Moholkar A V，et a1．Effect of quantity of spraying solution on the properties of spray deposited fluorine doped tin oxide thin films[J]．Physiea B：Condensed Matter，2009，404(12—13)：1874 - 1877． 8、Moholkar A V，Pawar S M，Rajpure K Y，et a1．Effect of fluorine doping on highly transparent conductive spray deposited nanocrystalline tin oxide thin films[J]．Applied Surface Science，2009，255(23)：9358—9364． 9、Dai S，Wang K，Weng J，et a1．Design of DSC panel with efficiency more than 6％[J1．Solar Energy Materials and Solar Ceils，2005，85(3)：447—455． 10、Huo Z，Dai S，Wang K，et a1．Nanocomposite gel electrolyte with large enhanced charge transport properties of an 13-／I- redox couple for quasi-solid-state dye-sensitized solar cells[J]．Solar Energy Materials and Solar Cells，2007，91(20)：1959-1965． 11、王璟和，射频溅射法制备透明导电陶瓷薄膜 天津大学 12、姜磊等， 染料敏化太阳电池研究进展 内蒙古大学学报（自然科学版） 13、曾志峰等， 射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究 武汉大学学报（理学版） 14、段理、樊小勇等， 磁控溅射制备银掺杂 薄膜结构及光电性质研究 材料导报(研究篇) 15、SunLL，TanO K，ZhuW G，et a1．Pb(Zro 3Ti0． 7)03／Pb-TiO3 multilayer thin films for pyroelectric infrared sensorapplication[J]．J Appl Phys，2006，99(9)：09410 16、顾锦华、钟志有等， 真空退火处理对光敏薄膜及聚合物太阳电池性能的影响 中南民族大学学报(自然科学版) 17、王磊、杜军等， 退火气氛对SnO2薄膜结构与成分的影响 材料导报 18、范志新等， 二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式 电子器件 19、刘庆业等， 射频溅射法研制SnO2纳米薄膜 广西师范大学学报（自然科学版）
1,有两个办法，把引言前的部分全部剪切，放在一个单独的word文档中，引言后的部分前移变成第一页，按常规加入页码，从1开始，分开打印后后装订在一起即可，这个简单易行，非常方便；其二就是二楼所说的插入分节符的办法，可以从任意页开始，设置页码。2,选择目录，格式，制表位，全部清除，在制表位位置框中输入40（具体值根据你水平标尺上的显示确定，单位为字符），右对齐，前导符选择2，设置，确定。3,这是超链接。打开word，点“插入”-“超链接”，在地址：一栏中加上你的链接。或都打开word，按ctrl+K 快捷键，后面操作同上。
1用分隔符，下一节，不是下一页，把引言和前面的东西分开，再把页眉页脚的那个框点出来，把链接到前一个的选择点暗掉，分隔符是菜单 插入 里的第一个2页码那个后面的数字不要有大有小，都弄成小四的，我是在样版文的目录里面改的，直接用复制粘贴3是说超级链接么，在鼠标右键呐
你去网上找吧~看看（智能电网）这样的期刊论文吧就可以了~
单片机一、总线：我们知道，一个电路总是由元器件通过电线连接而成的，在模拟电路中，连线并不成为一个问题，因为各器件间一般是串行关系，各器件之间的连线并不很多，但计算机电路却不一样，它是以微处理器为核心，各器件都要与微处理器相连，各器件之间的工作必须相互协调，所以就需要的连线就很多了，如果仍如同模拟电路一样，在各微处理器和各器件间单独连线，则线的数量将多得惊人，所以在微处理机中引入了总线的概念，各个器件共同享用连线，所有器件的8根数据线全部接到8根公用的线上，即相当于各个器件并联起来，但仅这样还不行，如果有两个器件同时送出数据，一个为0，一个为1，那么，接收方接收到的究竟是什么呢？这种情况是不允许的，所以要我有现成的论文，加我的QQ号是我的名字
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