这个就是指的是我们生产一个产品，就是我们需要给这个产品进行封包，就是指的是给它外面再封一层皮。
装是什么封装的话应该是根据它的主要的分也根据自己的意思来的。
把裸芯片包装起来就是封装，封装把晶圆中的每一个DIE变成芯片就可以用了。封装非常重要！
如果是根电路有关的话，封装是footprint 就是器件的尺寸、引脚位置这些外形参数
就是那种很光滑的纸，印画册或者普通封面都会用到，一般复印店都有，而且复印店里铜版纸应该还有不同的克重，就是不同的厚度。
我们常说的纸有两种。一种是胶版纸。一般做书的内文用，复印纸也是胶版纸。一种就是铜版纸。一般做画册或者图书封面用。铜版纸还分两种，就是光铜和无光铜。
B5纸
论文写完了要装订。放在档案袋里。
一、纸型、页面设置、版式和用字。毕业论文一律用国际标准A4型纸(297mmX210mm)打印。页面分图文区与白边区两部分，所有的文字、图形、其他符号只能出现在图文区内。白边区的尺寸(页边距)为：天头(上)25mm，地脚(下)20mm，订口(左)25mm，翻口(右)20mm。文字图形一律从左至右横写横排。文字一律通栏编辑。使用规范的简化汉字。除非必要，不使用繁体字。忌用异体字、复合字及其他不规范的汉字。二、论文封面封面由文头、论文标题、作者、学校、年级、学号、指导教师、答辩组成员、答辩日期、申请学位等项目组成。文头：封面顶部居中，占两行。上一行内容为“河南广播电视大学”用小三号宋体；下一行内容为“汉语言文学专业（本科）毕业论文”，3号宋体加粗。文头上下各空一行。论文标题：2号黑体加粗，文头下居中，上下各空两行。论文副题：小2号黑体加粗，紧挨正标题下居中，文字前加破折号。作者、学校（市级电大）、年级、学号、指导教师、答辩组成员、答辩日期、申请学位等项目名称用3号黑体，内容用3号楷体，在正副标题下适当居中左对齐依次排列。占行格式为：作者：XXX学校：XXX 年级：XXX 学号：XXX指导教师：XXX 职称：XXX答辩组成员：XXX（主持人） 职称：XXXXXX 职称：XXX……答辩日期：X年X月X日申请学位：学士（不申请可省略此项）由于论文副题可有可无，学位可申请可不申请，答辩组成员可以是3、5、7人，封面内容占行具有不确定性，为保持封面的整体美观，可对行距做适当调整。三、论文论文由论文目录（提纲）和题目、作者姓名、完成日期、摘要、关键词、正文、注释、参考文献、附录等项目组成。需要列目录的论文，目录要独占一页。“目录”二字用3号黑体，顶部居中；以下列出论文正文的一、二级标题及参考文献、附录等项及其对应页码。用小4号宋体。论文题目用3号黑体，顶部居中排列，上下各空一行；作者姓名：题目下方居中，用四号楷体。完成时间：作者姓名下方居中，字样为“X年X月”，用四号楷体。摘要：作者姓名下空一行，左起顶头，写明“摘要”字样加粗，点冒号，接排摘要内容。一般用五号字，字体用楷体。关键词：摘要下方，左起顶头，写明“关键词”字样加粗，点冒号，接排关键词。词间空一字。字型字体同摘要。正文：关键词下空一行开始。正文文字一般用5号宋体，每段起首空两格，回行顶格，单倍行距。正文文中标题：一级标题。标题序号为“一、”，4号黑体，独占行，末尾不加标点。如果居中，上下各空一行。二级标题，标题序号为“(一)”，与正文字体字号相同，独占行，末尾不加标点；三、四、五级序号分别为“1．”、“(1)”和“①”，与正文字体字号相同，一般不独占行，末尾加句号。如果独占行，则不使用标点。每级标题的下一级标题应各自连续编号。注释：注释采用脚注形式。加注符号以页为单位排序，标在须加注之处最后一个字的右上角后，用带圈或括弧的阿拉伯数字依次标示。同时在本页留出适当行数，用横线与正文分开，左起空两字后写出相应的注号，再写注文。每个注文各占一段，用小5号宋体。建议使用电脑脚
封面：包括（论文题目。什么专业，XX届XX级，指导老师，姓名，日期）目录：章，节摘要：两百多的字，不要超过三百。关键词：两三个，不要超过十个字为好正文：正常分段写就行了，参考文献：网络地址，文摘名，作者名，时间。最好找近几年的参考文献，不要找十几年前的（古代除外），
论文是指描述学术研究成果的文章，论文的格式由题名、作者、摘要、关键词、正文、参考文献和附录等部分组成。以毕业论文为例，分为封面，题目，目录，内容摘要，正文，注释等这几部分，一篇论文不仅对格式有要求，对纸张和页面，字体也都有要求。1、封面：关于封面不同学校的封面格式设计不同，要使用学校统一的封面格式或者先咨询一下导师。2、题目：题目要写的简洁、明确、有概括性，字数最好不超过20个字，对于本专科毕业论文一般无需单独的题目页，如果是硕博士毕业论文才需要单独的题目页。3、目录：目录居中，自动生成，4号宋体，双面打印，若不够双页则独立成页，需要标明页码，正文各一级二级标题，后面是参考文献、附录、致谢等。4、内容摘要：四号宋体，段落要左对齐，首行缩进2个字符，5倍行距，摘要的内容一般为作者所研究的目的、内容、方法，一般为150字到300字，中英文需要一一对应，英文摘要需用第三人称。5、正文：正文的字体为四号宋体，5倍行间距，双面打印，字数为5000字以上，本科文学学士毕业论文通常要求8000字以上，论文的正文分为三个部分，前言，本论，结论，前言要简单扼要，主要说明论文写作的目的、现实意义、对所研究问题的认识，并提出论文的中心论点即可，本论是论文最重要的部分，要写出作者在运用各方面的研究方法和实验结果，分析问题，论证观点，尽量反映出自己的科研能力和学术水平。结论部分就是总结一下全文，加深题意。6、注释：注释一般采用小五号宋体，这部分就是把在论文的写作过程中，对正文中某一特定内容的进一步解释或补充说明。参考文献序号用方括号标注(如[1]、[2])，排印在该页底脚。
1．页面设置 页眉内容：“第8届研究生科技论坛参赛论文”，居中。 字型字体：宋体、小五。 版 心：上、下、左、右边距5 厘米（菜单文件-页面设置-页边距）。 页 脚：标明页码（仅写页码，“-1-”，居中）。 纸 张：A4 2．文档设置 论文题目：黑体、二号；居中。 作者姓名：仿体、四号；居中。（名字前可加班级，如“工研04 XXX”） 中文摘要：（300字以内）字型、字体：楷书、小五。 （“摘要”二字：顶头，为黑体、小五，“摘”和“要”之间空一格，“摘要”与随后的内容之间空一格，如“摘 要 本文…”） 关键词：（3～5个）：楷书、小五。 （“关键词”三字：顶头，为黑体、小五，与随后内容之间空一格。） 正 文：宋体、五号 标 题：标题前不空，按1，2，2，1……编号。 一级标题（标题1）：上下不空行，设置段前后间距为6磅（菜单格式-段落-间距，段前、段后6磅）；黑体、小四。 二级标题（标题2）：上下不空行，设置段前后间距为0磅；黑体、五号。 参考文献：“参考文献”四字为黑体、小四，上下空一行，居中； 内容为宋体，小五，按1，2……等自然排序，各条目顺序为： 期刊类：作者，文章名，期刊名，年份，卷(期)，页号； 专著类：作者，书名，版本，出版社，出版年，起页码； 论文集：作者，题名，主编，论文集名，出版地，出版年，起止页码； 英文摘要：Times New Roman字体 标 题：小三、加粗，除介词外单词首字母大写。 作者名：斜体，五号。“Abstract”、“Keywords” 加粗。 内 容：Times New Roman字体，五号。 作者简介：(100字以内)楷体、五号。 每篇文章的版面（含题目、中英文摘要、正文、参考文献、作者简介等）控制在5页！
看看有什么要求？比如封面的材质，怎么封装？一般多为胶装，少数会用扣的或硬纸精装去打印店说明要求就行了，他们会帮你搞定！在上海的话可以选择同昆、大齐，还是很不错的
论文只注重封面，没要求封底的，一般都是空白页，要是你觉得不美观，也可以用个文件夹给夹住，这样就没什么好讲封不封底的了
本科论文的话，虽然教育局会盲审，但是查到你的概率很低很低的，如果是硕博就有点问题了。
看看有什么要求？比如封面的材质，怎么封装？一般多为胶装，少数会用扣的或硬纸精装去打印店说明要求就行了，他们会帮你搞定！在上海的话可以选择同昆、大齐，还是很不错的
集成电路芯片封装技术浅谈 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出（I/O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。 对于CPU，读者已经很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。 下面将对具体的封装形式作详细说明。 一、DIP封装 70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点: 适合PCB的穿孔安装; 比TO型封装(图1)易于对PCB布线; 操作方便。 DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)，如图2所示。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/24×50=1：86,离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。 Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。 二、芯片载体封装 80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封装结构形式如图3、图4和图5所示。 以5mm焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：8，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是: 适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线; 封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用; 操作方便; 可靠性高。 在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。 三、BGA封装 90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种--球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。 BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有: I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率; 虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能: 厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上; 寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高; 组装可用共面焊接，可靠性高; BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大; Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。 四、面向未来的新的封装技术 BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。 Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按5mm焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。 1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点: 满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要; 解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题; 封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。 曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有: 封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化; 缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3; 可靠性大大提高。 随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。 随着CPU和其他ULSI电路的进步，集成电路的封装形式也将有相应的发展，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。