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半导体杂志与能级关系

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半导体杂志与能级关系

半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子这种能提供电子载流子的杂质称为施主,相应能级称为施主能级施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时,杂质原子与周围四个锗(或硅)原子形成共价结合时尚缺少一个电子,因而存在一个空位,与此空位相应的能量状态就是杂质能级,通常位于禁带下方靠近价带处价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位,使杂质原子成为负离子价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子这种能提供空穴的杂质称为受主杂质存在受主杂质时,在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多半导体掺杂后其电阻率大大下降加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小,半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的对掺入施主杂质的半导体,导电载流子主要是导带中的电子,属电子型导电,称N型半导体掺入受主杂质的半导体属空穴型导电,称P型半导体半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对,故N型半导体中可存在少量导电空穴,P型半导体中可存在少量导电电子,它们均称为少数载流子在半导体器件的各种效应中,少数载流子常扮演重要角色-/

因为电子带的是负电啊,能级和电势是相反的,这个是根据电子画的能带图。 掺杂物质是没有能带的。因为数量少,形不成能带。

浅能级指能量很靠近导带底的电子束缚态,或能量很接近价带顶的空穴束缚态。浅能级中的电子或空穴,在稍高的温度(如室温)就基本上电离而成为在导带中的自由电子和价带中的自由空穴,起导电作用。深能级是指靠近导带的空穴束缚态,或能量很接近价带顶的电子束缚态。 半导体中的深能级所包括的范围十分广阔,可以是单个的杂质原子或缺陷,也可以是杂质和缺陷的络合体。它们往往可以连续接受几个电子,在禁带中形成多重能级,各对应于不同的电荷态。

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因为杂质电离是一种热激发过程,当电离能远小于kT时即为强电离,这时多数载流子浓度基本上等于掺杂浓度;否则为弱电离。参见“@126/”中的有关说明。

按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大,而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。氧、氮、碳在半导体材料中的行为比较复杂,所起的作用与金属杂质不同,以硅和砷化镓为例叙述杂质的行为。 1可能影响半导体的单向导电性2造成电路短路3烧坏用电器答案补充 半导体中的杂质对电导率的影响非常大,本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体,一般可分为N型半导体和P型半导体。半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质,相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。

其实就是抢走电子美女需要花的代价抢走最外面的电子的能量叫first ionization energy当最外面的一个电子被抢走以后要夺走后面的电子就更加困难了 正电荷和剩下的电子存在了不平衡了而电力能越小也就是说明这个物质的电负性越低

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物理学报》:发展与成就《物理学报》是由中国物理学会主办的,创刊于1933年,原名“Chinese Journal of Physics”,创刊初期用英、法、德三国文字发表论文。这是中国出版的第一份物理类综合性学术期刊,1953年易为现名的中文期刊。《物理学报》首任主编为我国第一代著名物理学家严济慈与丁燮林,随后担任主编的有吴大猷、王竹溪和黄祖洽,现任主编是原国家自然科学基金会副主任、中国原子能科学研究院研究员王乃彦院士。70余年的变迁,《物理学报》从初创到成长、壮大,特别是改革开放以来的发展,从一个侧面展现了我国现代物理学崛起与发展的梗概和脉络。现在,《物理学报》已成为目前中国历史最悠久、在国内外发行量最大、影响面最广的物理类学术期刊,赢得了国内外物理学界的普遍认同和信誉,受到包括诺贝尔物理奖获得者杨振宁教授在内的一些著名物理学家的高度评价,被认为是“中国权威性的物理刊物”,奠定了它在中国科技期刊中的重要地位。由中国科技信息所统计, 2003年《物理学报》被SCI-CD,SCI-E,EI-P,CA,INSPEC,JICST,AJ和MR等检索系统收录。根据SCI数据库统计,2003年《物理学报》的影响因子为130,总被引频次为2410次。特别是该统计显示,在本学科国际同类期刊中,其影响因子和总被引频次位于中上水平,在68种国际上综合性物理类期刊中,《物理学报》的总被引频次和影响因子分别位居第23和第28。其中,本刊的总被引频次居中国物理类期刊第1位、中国科技期刊第1位,影响因子为中国物理类期刊第2位。这几年来,本刊继续以提高质量为增强核心竞争力的主线,在办刊理念、学术品位、编辑质量、出版发行与宣传,以及运用现代信息技术等方面,进一步加快与国际接轨的步伐。特别是进一步提高期刊学术水准,《物理学报》面向国际学科发展的前沿领域,以国家知识创新体系的建设为依托,跟踪热点课题加强组织和征集优秀稿件,进一步提高学术论文的创新性、导向性和权威性。主要刊登由国家知识创新体系组成的国家科技攻关项目、国家“863”计划项目、国家“973”基础研究项目,以及国家自然科学基金项目等一批最新科研进展或取得科技成果的优秀论文。其中,在2004年《物理学报》刊登的论文中,基金资助论文比例为5%。这表明《物理学报》吸收前沿科学和高质量学术论文的能力在不断增强,提高了期刊自身的整体学术水平。据有关部门的不完全统计,《物理学报》被引相对较多的论文,其学术内容按国际物理学分类来看,主要涉及混沌系统的理论和模型、量子光学、流体力学、量子论、离散系统的经典力学、黑洞、点阵理论和统计学、介观体系和量子干涉、表面电子态、聚合物、薄膜与低维结构、光电效应、固体团簇结构与碳纳米管及纳米结构材料、超导电性、分子运动论、辐射的发射与吸收及散射、自旋电子学、磁熵变材料等研究领域,其中反映了当今物理学研究中的热点问题和新的方向。目前,对国内外发行和交换约1700份,光盘发行量约为600多个平台。2003年《物理学报》在科技部西南信息中心期刊网站中论文下载为3080篇次;在清华同方数据中,本刊2003年web下载58余万篇次,印刷版总被引频次2845次,其web扩散系数为61倍,在物理类期刊中,下载论文篇次居第1位。该统计显示,《物理学报》2003年即年指标2715,web影响因子4813。本刊2003年总被引频次、影响因子均居物理类期刊第1位。并在2001-2003年中,《物理学报》平均被引频次和影响因子均居物理类期刊第1位。近几年来,《物理学报》先后获得第一、二、三届国家期刊奖,2001、2002、2003年度百种杰出期刊奖,以及中国科学院特别奖、一等奖等多项重要奖项。2003年10月《物理学报》创刊70周年。中国科学技术协会主席周光召题词祝贺:“格物唯实,推理求真”。全国人大副委员长、中国科学院院长路甬祥的题词为:“格物致知、勇创一流”。题词的著名科学家还有彭桓武、黄昆、杨振宁、李政道、冯端、陈佳洱、李荫远、黄祖洽、白春礼、王乃彦、赵忠贤、杨国桢、李方华、梁敬魁等。《物理学报》主管部门与主办单位及一些科研机构和高等学校也以各种方式表示祝贺。这些都表明《物理学报》的建设与发展始终得到物理界及各方面的高度重视与全力支持。其中除杨振宁教授上述对《物理学报》的评价外,我国著名超导专家赵忠贤院士指出:“《物理学报》是我国少数几个具有权威发性的高层次刊物之一,刊载的论文大多是在国内外处于领先地位的科研成果,审稿制度严格,对论文质量严格把关,编辑出版严谨细致认真”。“《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术期刊,是进行学术交流的重要刊物之一,一直受到国际物理学界专家的注目和好评。《物理学报》创刊71年来为繁荣我国的科学事业做出了重要贡献”。原国家自然科学基金委主任、中国物理学会理事长、北京大学校长陈佳洱院士称:《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术刊物,所登的许多论文达到国际先进水平,编辑出版质量高,是我国少数几个具有权威性的高层次刊物之一,受到国际物理学界专家的注目和好评。当今,科技期刊已成为一个国家科技发展和社会经济文化进步的重要标志。可以看到,面对我国入世后激烈的挑战,中国期刊的使命更加艰巨。时代呼唤期刊工作者与科学家、出版社和信息系统团结起来相互支持合作,在我国政府及其主管部门的组织的协调下,共同营造我国科技期刊发展的优良环境,为创办国际一流的学术刊物作出积极贡献,让中国科技期刊加快融入国际学术交流。《半导体学报》简介 《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,内容包括半导体超晶格和微结构物理,半导体材料物理,包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试,半导体器件物理,新型半导体器件,集成电路的CAD设计和研制,新工艺,半导体光电子器件和光电集成,与半导体器件相关的薄膜生长工艺,性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同,是以半导体和相关材料为中心的,从物理,材料,器件到应用的,从研究到技术开发的,跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统(美国工程索引(EI),化学文摘(CA),英国科学文摘(SA),俄罗斯文摘杂志(РЖ))收录。 《半导体学报》1980年创刊。现为月刊,每期190页左右,国内外公开发行。每期均有英文目次,每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。

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