我给您大致讲一下吧，具体晶体学的东西我也不懂，一些专有名词我就不翻译了。开头就是文章很有趣，但是在发表之前需要一些改进。这个我相信不用我说您也知道。然后就是第一条建议：首先，在图3-5的所有实验结果在被陈述的过程中都缺少各个部分的条件（应该是说实验每部分的条件和前提没有说明，这要看您的文章的具体内容）。显然在图4和图5中两个dendrites的方向有区别，但是读者并不知情这个结果（也就是4,5中的区别）是在不同的螺旋纹选择器的结构下产生的（这个学术上的名词东西我不太懂，随口乱翻的）。极图（pole figure）图5中只展示了<111>section而没有图4中的<100>section（应该是对照参考不完整的意思），那么图4和5之间的X射线数据有区别吗？你的论点是<111>direction dendrites要比其他的growth directions都要grow的更快吗？第二点，电子显微镜的清晰度和分辨率太低导致dendrites的图像不清楚，在图5中需要非常清晰的图片来展示<111>dendrite growth的形态。第三点，实验中有部分数据丢失。虽然说明了生长率（growth rate）和冷却速度但是没有提供估测的温度梯度。这在理解dendrite growth的机制上是很必要的。
一般都是长篇小说，独立成册。
汤森路透科技信息集团推出近十年论文发表方面的国家和地区排名，统计时间段为2011年1月至2012年8月31日。在此基础上，汇总了论文总引用次数排名前20国家和地区在此期间的最高被引单篇论文。每篇论文的所有作者均在本国进行科研。其中，中国的最高被引论文为香港科学家所著。美国(近十年论文总引用次数46,796,090)论文：ANALYSIS OF RELATIVE GENE EXPRESSION DATA USING REAL-TIME QUANTITATIVE PCR AND THE 2(T)(-DELTA DELTA C) METHO被引次数：9,252领域：生物学与生物化学发表期刊：《方法学》(METHODS)英格兰(近十年论文总引用次数9,979,737)论文：COOT: MODEL-BUILDING TOOLS FOR MOLECULAR GRAPHICS被引次数：4,898领域：化学发表期刊：《晶体学报D》(ACTA CRYSTALLOGR D-BIOL CRYST)德国(近十年论文总引用次数9,960,100)论文：A SHORT HISTORY OF SHELX被引次数：7,020领域：化学发表期刊：《晶体学报A》(ACTA CRYSTALLOGR A)日本(近十年论文总引用次数7,877,699)论文：SUPERCONDUCTIVITY AT 39 K IN MAGNESIUM DIBORIDE被引次数：2,811领域：物理学发表期刊：《自然》(NATURE)法国(近十年论文总引用次数6,660,630)论文：A SIMPLE, FAST, AND ACCURATE ALGORITHM TO ESTIMATE LARGE PHYLOGENIES BY MAXIMUM LIKELIHOOD被引次数：2,995领域：环境/生态学发表期刊：《系统生物学》(Systematic Biology)加拿大(近十年论文总引用数5,619,293)论文：EFFECTS OF AN ANGIOTENSIN-CONVERTING-ENZYME INHIBITOR, RAMIPRIL, ON CARDIOVASCULAR EVENTS IN HIGH-RISK PATIENTS被引次数：3,435领域：临床医学发表期刊：《新英格兰医学杂志》(N ENGL J MED)意大利(近十年论文总引用数4,770,753)论文：THE MIRROR-NEURON SYSTEM被引次数：1,021领域：神经科学与行为发表期刊：《神经科学年评》(ANNU REV NEUROSCI)中国(近十年论文总引用数4,227,779)论文：CORONAVIRUS AS A POSSIBLE CAUSE OF SEVERE ACUTE RESPIRATORY SYNDROME被引次数：1,025领域：临床医学发表期刊：《柳叶刀》(THE LANCET)荷兰(近十年论文总引用数3,687,829)论文：SINGLE-CRYSTAL STRUCTURE VALIDATION WITH THE PROGRAM PLATON被引次数：7,405领域：化学发表期刊：《应用晶体学期刊》(J APPL CRYST)澳大利亚(近十年论文总引用数3,359,748)论文：IDENTIFICATION OF DIABLO, A MAMMALIAN PROTEIN THAT PROMOTES APOPTOSIS BY BINDING TO AND ANTAGONIZING IAP PROTEINS被引次数：1,219领域：分子生物学与遗传学发表期刊：《细胞》(CELL)西班牙(近十年论文总引用数3,256,075)论文：DnaSP, DNA polymorphism analyses by the coalescent and other methods被引次数：2,391领域：计算机科学发表期刊：《生物信息学》(BIOINFORMATICS)瑞士(近十年论文总引用数2,873,881)论文：PHOTOELECTROCHEMICAL CELLS被引次数：1,863领域：化学发表期刊：《自然》(NATURE)瑞典(近十年论文总引用数2,548,046)论文：MECHANISMS OF DISEASE- INFLAMMATION, ATHEROSCLEROSIS, AND CORONARY ARTERY DISEASE被引次数：1,536领域：临床医学发表期刊：《新英格兰医学杂志》(N ENGL J MED)韩国(近十年论文总引用数1,767,799)论文：A HOMOCHIRAL METAL-ORGANIC POROUS MATERIAL FOR ENANTIOSELECTIVE SEPARATION AND CATALYSIS被引次数：1,555领域：化学发表期刊：《自然》(NATURE)比利时(近十年论文总引用数1,756,586)论文：INTENSIVE INSULIN THERAPY IN CRITICALLY ILL PATIENTS被引次数：2,723领域：临床医学发表期刊：《新英格兰医学杂志》(N ENGL J MED)苏格兰(近十年论文总引用数1,622,708)论文：SPECIFICITY AND MECHANISM OF ACTION OF SOME COMMONLY USED PROTEIN KINASE INHIBITORS被引次数：2,432领域：生物学与生物化学发表期刊：《生物化学期刊》(BIOCHEM J)印度(近十年论文总引用数1,497,065)论文：A FAST AND ELITIST MULTIOBJECTIVE GENETIC ALGORITHM: NSGA-II被引次数：1,054领域：工程学发表期刊：《IEEE进化计算会刊》(IEEE TRANS EVOL COMPUTAT)丹麦(近十年论文总引用数1,470,961)论文：PEPTIDOTRIAZOLES ON SOLID PHASE:[1,2,3]-TRIAZOLES BY REGIOSPECIFIC COPPER(I)-CATALYZED 1,3-DIPOLAR CYCLOADDITIONS OF TERMINAL ALKYNES TO AZIDES被引次数：1,146领域：化学发表期刊：《有机化学期刊》(J ORG CHEM)以色列(近十年论文总引用数1,363,975)论文：THE RANDOM WALK'S GUIDE TO ANOMALOUS DIFFUSION: A FRACTIONAL DYNAMICS APPROACH被引次数：1,311领域：物理学发表期刊：《物理学报告》(PHYS REP-REV SECT PHYS LETT)俄罗斯(近十年论文总引用数1,243,711)论文：BULK NANOSTRUCTURED MATERIALS FROM SEVERE PLASTIC DEFORMATION被引次数：未统计领域：材料科学发表期刊：《材料科学进展》(PROG MATER SCI)
《人工晶体学报》是由中材人工晶体研究院有限公司主办，由《人工晶体学报》编辑委员会编辑，人工晶体学报社出版的国家级学术性期刊，是我国唯一专门刊登人工晶体材料这一高新技术研究领域成果的学术性刊物。
出版地：北京市语种：中文;开本：16开ISSN：1000-985XCN：11-2637/O7历史沿革：现用刊名：人工晶体学报曾用刊名：人工晶体创刊时间：1972该刊被以下数据库收录：CA 化学文摘(美)(2011)SA 科学文摘(英)(2011)CBST 科学技术文献速报(日)(2009)EI 工程索引(美)(2014)中国科学引文数据库(CSCD2014—2015)核心期刊：中文核心期刊(2014)中文核心期刊(2011)中文核心期刊(2008)中文核心期刊(2004)中文核心期刊(2000)中文核心期刊(1996)
最先制得晶形硅的是最先制出纯铝的法国化学家亨利得维尔。1854年，得维尔用强电池组电解石英砂和冰晶石的熔融物，在阴极上得到一种灰色性脆的粒状金属（硅铝合金)。当这种金属颗粒冷却后，析出了一种有金属光泽的片状晶体。通过实验可知，这种片状晶体的化学性质与硅粉的性质完全相同，因而确信此片状晶体就是晶体硅。 硅是比锗更经得起当今器件工艺发展考验的半导体材料。在1966年已经生产40000千克半导体级硅(单晶超纯硅，杂质含量小于1／109)，从而制造出40亿个元件。到1966年，用于这方面的硅已超过锗的用量。 由硅晶体管和其他元件组成的集成电路，集成度越来越高，规模越来越大，而元件则愈做愈小。一个直径为75毫米的硅片，可集成几万至几十万甚至几百万个元件，形成了微电子学，从而出现了微型计算机、微处理机等。 在铝衬底上，生长—层10—25微米厚的多晶硅薄膜，就是一种便宜而轻巧的太阳能电池材料，适于在太空和地面上使用。 硅是同位素电池中换能器的主要材料。换能器是将同位素热源发出的热能转变为电能的装置。硅-锗合金做的换能器，其工作温度可达1000oC，机械性能和抗氧化性能很好，高温下不易蒸发和中毒，无论在真空还是空气中都能工作。 航天飞机用的耐热而极轻的硅瓦，在航天飞机返回大气层时，它可保护机身不受超过1000oC高温的损伤。 天然橡胶和合成橡胶的使用温度，一般都在150oC以下，否则就会老化变质。20世纪40年代发展起来的硅橡胶，是以硅一氧一硅为主链的半无机高分子弹性体，兼有无机材料和有机材料的某些特点，使用温度范围宽广。硅橡胶具有优异的耐臭氧、耐碱、生理惰性(对人机体没有不良影响，可做为某些脏器的修复材料，如人工关节)和电气性能。某些特殊结构的硅橡胶，更具有优良的耐油、耐溶剂、耐辐射等特性，因此硅橡胶已广泛用于航空、宇宙航行技术、电气及电子工业部门。 用110—2甲基乙烯基硅橡胶做生胶原料，乙炔炭黑做填料可制成导电橡胶，是电子表中连接集成电路与液晶屏的理想导电材料。 硅酸在水中能形成凝胶，因此可制得一种吸附剂---硅胶。硅胶是一种极性吸附剂，对H20等极性物质都有较强的吸附能力，工业上常用做干燥剂和吸附剂。 硅酸钠的水溶液叫水玻璃，工业上称做泡花碱。木材及织物浸过水玻璃后，可以防腐，不易着火。 硅溶胶是以Si02为基本单位的水中分散体。在羊毛纺织过程中，它可做为轻纺上浆的胶剂，以减少羊毛纤维的断头率，在涂层中含有硅溶胶，可提高无机纤维材料的表面抗 热强度。 在搪瓷器皿制造业中，加进硅溶胶以后，可降低膨胀系数，以改进对四氟乙烯的粘合性，在玻璃及玻璃陶瓷中亦有同样效果。若在玻璃中掺入25—30％的硅溶胶，可制得优质的硅硼酸玻璃。 某些钠硼硅酸盐玻璃(含氧化钠、氧化硼和氧化硅)经过热处理，原子重新组合，就分为互不熔混的两部分。一部分主要含氧化硅，另一部分主要含氧化钠和氧化硼。如果再用酸处理，那么二氧化硅将不受酸的影响而留下来，而氧化钠和氧化硼则溶于酸中，剩下众多的空洞一—微孔，于是就制成了用途广泛的微孔玻璃。 将微孔玻璃烘干，烧结，就得到高硅氧透明玻璃。它耐高温，热稳定性好，透紫外线能力强，可在多方面代替石英玻璃，适宜做高温观察窗， 比如宇宙飞船上的观察窗。迫过它去观察物体，不会发生变形，因为它的光学均匀性也很好。 如果在普通的钠铝硼硅酸盐玻璃中加入少量卤化银做感光剂，微量铜做增感剂，用玻璃常规工艺熔化，退火再经适当处理，就能制成卤化银光色玻璃。它会因光的强度不同而改变颜色，在强光防护、显示装置、光信息存储、交通工具上的挡风玻璃等方面，都有重要用途。 纯净的二氧化硅晶体叫做石英。石英在1600℃熔化成粘稠液体，内部变为无规则形态，再遇冷时，因为粘度大而不易再结晶，成为石英玻璃。它有很多特殊的性质，如能让可见光和紫外光通过，可用它制造紫外灯和光学仪器；它的膨胀系数小，能经受温度的剧变，而且有很好的抗酸性（除氢氟酸外），因此，常被用来制造高级化学器皿。 医用激光器配置的光能传输系统是用石英光导纤维制成的，它不仅细巧轻便，灵活自如，且可将激光能量传入人体内脏器官进行医治。 一种新型水泥——双快水泥，具有快凝、快硬的特点。它浇注一天后的强度，相当于普通水泥浇注7-28天的强度，可用于滑升模板施工、预应力混凝土构件、砌块的快速成型和脱模，也可用它做矿井巷道喷射混凝土或机械铸件造型自硬砂。 用废轮胎等制成海绵状弹性体，与粘结性强的乳剂和水泥混和搅拌，就成为橡胶水泥。它克服了原有混凝土的缺点，能防止龟裂、剥离和吸水，既可用于铺路，又可用于建筑物上。 SiC叫碳化硅，又叫金刚砂。它具有类似金刚石的结构，硬度极大，而且分解温度又很高，所以在工业上大量用作磨料。 氮化硅陶瓷的强度和硬度很高，抗热震性和耐化学腐蚀性好，摩擦系数小且有自润性，是一种优越的耐磨材料。用氮化硅陶瓷制成的机械密封圈，经过几百到几千小时的运转后，磨损较小，寿命较原用材料提高几倍到十几倍。 以碳化硅陶瓷为基板的碳化硅远红外辐射板，被加热到一定温度后，能辐射出2—15微米以上的长波红外线，它对有机物，高分子物质以及对远红外线有强烈吸收峰的含水物质等，有很高的干燥效率。目前，这种碳化硅远红外辐射板巳用于自行车、缝纫机、家俱；木材，皮革，纺织，食品及粮食作物的干燥。
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单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。 硅 结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。 硅的用途： ①高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型和p型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。 ②金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。将陶瓷和金属混合烧结，制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷的各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。可应用于军事武器的制造第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时磨擦产生的高温，全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。 ③光导纤维通信，最新的现代通信手段。用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维，激光在玻璃纤维的通路里，无数次的全反射向前传输，代替了笨重的电缆。光纤通信容量高，一根头发丝那么细的玻璃纤维，可以同时传输256路电话，它还不受电、磁干扰，不怕窃听，具有高度的保密性。光纤通信将会使 21世纪人类的生活发生革命性巨变。 ④性能优异的硅有机化合物。例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅，可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表，涂一层薄薄的有机硅塑料，可以防止青苔滋生，抵挡风吹雨淋和风化。天安门广场上的人民英雄纪念碑，便是经过有机硅塑料处理表面的，因此永远洁白、清新。 有机硅化合物，是指含有Si-O键、且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物，习惯上也常把那些通过氧、硫、氮等使有机基与硅原子相连接的化合物也当作有机硅化合物。其中，以硅氧键（-Si-0-Si-）为骨架组成的聚硅氧烷，是有机硅化合物中为数最多，研究最深、应用最广的一类，约占总用量的 90%以上。 有机硅材料具有独特的结构： （1） Si原子上充足的甲基将高能量的聚硅氧烷主链屏蔽起来； （2） C-H无极性，使分子间相互作用力十分微弱； （3） Si-O键长较长，Si-O-Si键键角大。 （4） Si-O键是具有50％离子键特征的共价键（共价键具有方向性，离子键无方向性）。 由于有机硅独特的结构，兼备了无机材料与有机材料的性能，具有表面张力低、粘温系数小、压缩性高、气体渗透性高等基本性质，并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性，广泛应用于航空航天、电子电气、建筑、运输、化工、纺织、食品、轻工、医疗等行业，其中有机硅主要应用于密封、粘合、润滑、涂层、表面活性、脱模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等。随着有机硅数量和品种的持续增长，应用领域不断拓宽，形成化工新材料界独树一帜的重要产品体系，许多品种是其他化学品无法替代而又必不可少的。 有机硅材料按其形态的不同，可分为：硅烷偶联剂（有机硅化学试剂）、硅油（硅脂、硅乳液、硅表面活性剂）、高温硫化硅橡胶、液体硅橡胶、硅树脂、复合物等。
一、晶体三极管的命名方法及型号字母意义 晶体三极管的命名方法见图5-18，型号字母意义见表5-6 二、晶体三极管的种类 晶体三极管主要有NPN 型和PNP型两大类,一般我们可以从晶体管上标出的型号来识别。详见表5－6。晶体三极管的种类划分如下。 ①按设计结构分为 : 点接触型、面接触型。 ②按工作频率分为 : 高频管、低频管、开关管。 ③按功率大小分为 : 大功率、中功率、小功率。 ④从封装形式分为 : 金属封装、塑料封装。 三、三极管的主要参数 一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数三大类。 ①直流参数 : 集电极 -基极反向电流 ICBO。此值越小说明晶体管温度稳定性越好。一般小功率管约10μA左右,硅晶体管更小。 集电极－发射极反向电流ICEO, 也称穿透电流。此值越小说明晶体管稳定性越好。过大说明这个晶体管不宜使用。 ②极限参数:晶体管的极限参数有: 集电极最大允许电流ICM；集电极最大允许耗散功率ICM；集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO 。 ③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实际使用时一般不再区分,都用β表示,也可用hFE表示。 为了能直观地表明三极管的放大倍数 , 常在三极管的外壳上标注不同的色标。锗、硅开关管 , 高、低频小功率管 , 硅低频大功率管所用的色标标志如表 2-9-6 所示。β范围 0～15 15～25 25～40 40～55 55～80 80～120 120～180 180～270 270～400 400～ 色标 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 表5-7 部分三极管β值色标表示 ④特性频率fT：晶体三极管的β值随工作频率的升高而下降,三极管的特性频率f是当β下降到 1 时的频率值。也就是说 , 在这个频率下的三极管,己失去放大能力,因为晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。四、常用晶体三极管的外形识别 ①小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三极管来说,有金属外壳和塑料外壳封装两种,如图5-25 所示。②大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管,外形一般分为F型，G型两种,如图5-26(a) 所示。F型管从外形上只能看到两个电极。将管脚底面朝上,两个电极管脚置于左侧,上面为e极,下为b极,底座为C极。G型管的三个电极的分布如图5-26(b) 所示。图 5-26 大功率晶体三极管电极识别五、用指针式万用表判断晶体三极管好坏及辨别三极管的e、 b、c电极 三极管的管脚必须正确辨认,否则,接入电路不但不能正常工作,还可能烧坏晶体管。己知三极管类型及电极,指针式万用表判别晶体管好坏的方法如下: ①测 NPN 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或 "R × lk" 处,把黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。 ②测 PNP 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或 "R × lk" 处,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。 当三极管上标记不清楚时,可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型 (NPN 型还是 PNP 型 ),并辨别出e、b、c三个电极。测试方法如下 : ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧 ),则假设的基极是正确的,且被测三极管为 NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为 PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置 "R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极 ( 不能使b、c直接接触 ), 通过人体 , 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻 , 如图 5-27(a) 所示。读出表头所示的阻值 , 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小 , 说明原假设成立 , 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大 , 偏置正常。其等效电路如图5-27(b) 所示 , 图中VCC 是表内电阻挡提供的电池 ,R为表 内阻 ,Rm 为人体电阻。图 5-27 用指针万用表判别三极管 c 、 e 电极 用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在 6V 左右 ), 则假设的基极是正确的 , 且被测三极管为 NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时 , 先确认晶体管类型 , 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。 以上介绍的方法是比较简单的测试,要想进一步精确测试可以使用晶体管图示仪 ,它能十分清楚地显示出三极管的特性曲线及电流放大倍数等。六、三极管的选用 选用三极管要依据它在电路中所承担的作用查阅晶体管手册，选择参数合适的三极管型号。 a、NPN型和PNP型的晶体管直流偏置电路极性是完全相反的，具体连接时必须注意。 b、电路加在晶体管上的恒定或瞬态反向电压值要小于晶体管的反向击穿电压，否则晶体管很易损坏。 c、高频运用时，所选晶体管的特征频率F，要高于工作频率，以保证晶体管能正常工作。 d、大功率运用时晶体管内耗散的功率必须小于厂家给出的最大耗散功率，否则晶体管容易被热击穿，晶体管的耗散功率值与环境温度及散热大小形状有关，使用时注意手册说明。 七、中、小功率三极管的检测方 ①性能好环的判定，对已知型号和端子排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好环。 a、测量极间电阻。测试方法如图5-28所示。将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的6种不同接法时行测试，其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他4种接法测得电阻值得都很高。质量良好的中、小功率三极管。正向电阻一般为几百欧至几千欧，其余的极间电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大，但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大。图5-28 三极管的正常极间电阻 b、测量穿透电流ICBD三极管的穿透电流ICBD的数值近似等于管子的放大倍数β和集电结的反向饱和电流ICBD乘积，ICBD随着环境温度的升高增长很快，ICBD的增加必然ICBD然的增大，而ICBD的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中尽量选用ICBD+小的管子。 通过用万用表电阻挡测量三极管e-c极之间的电阻的方法，可间接估计ICBD的大小，具体方法如下。 测试电路如5-29所示，其中图（a）为测PNP型管的接法，图（b）为测NPN型管的接法，万用表电阻挡量程一般选用R×100或R×1K挡，要求测得的电阻值越大越好，e-c间的阻值越大，说明管子ICBD越小，反之，所测阻值越小，说明被测管ICBD越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料高频管及锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧，几十千欧及十几千欧以上。如果阻值很小或测试时万用表来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。图5-29 测量三极管的Iceo 在测量三极管的ICEO的过程中，还可以同时检查判断一下管子的稳定性优劣。具体办法是：测量时，用手捏住管壳约1min左右，观察万用表指针向右漂移的情况，指针向右漂移摆动速度越快，说明管子的稳定性越差。通常，e-c间电阻比较小的管子，热稳定性相对就较差。在使用的过程中，稳定性不佳的管子应尽量不用，特别是在要求稳定性较高的电路中更不能使用ICEO大的管子。另外，管子的β越大，ICEO也越大，所以在要求稳定性较高的电路中，所使用的管子的β值不要太高。 C．测量放大能力β。测试电路如图5-30所示。其中图（a）为测PNP型管的接法，图（b）为测NPN型管的接法。万用表置于R×1k挡。具体测试步骤是，先将红、黑表笔按图7-46所示电路接相应端子，然后将电阻R接入电路。此时，万用表指针应向右偏转，偏转的角度越大，说明被测管的放大倍数β越大。如果接上电阻R以后指针向右摆幅度不大或者根本就停止在原位不动，则表明管子的放大能力很差或者已经被损坏。电阻R可用70～100kΩ的固定电阻，也可以利用人体电阻，即用手捏住c、b两端子（注意，c、b间不能短接）来代替电阻R。另外也可以用两手操作，用舌头去舔c、b两端子来充当电阻R进行测量。图5-30 测量三极管的β值方法一 上述方法的优点是简单易行，缺点是只能比较管子β的相对大小，而不能测出β的具体数值。 有些型号的中、小功率三极管，生产厂家在其管壳顶部表示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表5-8所示。但要注意，各厂家用色标并不一定完全相同。色点 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 β 17 17～27 27～40 40～77 77～80 80～120 120～180 180～270 270～400 >400 ②检测判别电极 如果不知道三极管的型号及管子的端子排列，用万用表进行检测判断。 a．判定基极。测试电路如图5-31所示。用万用表R×100和R×1k挡测量三极管三个电极中两个之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二根表笔先后接触另外两个电极均测得低电阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b，黑表笔分别接在其他两电极时，测得的阻值都较小，则会判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两电极时，测得的阻值都较小，则被测三极管为NPN型管。图5-31 判定三极管基极 b．判定集电极c和发射集e。测试方法如图5-32所示。现以PNP型三极管为例加以说明。将万用表置于R×1k挡。先使被测三极管的基极悬空，万用表的红、黑表笔分别任接其余两端子，此时指针应指在无穷大位置。然后用手指同时捏住基极与右边的端子，如果万用表指针向右偏转较明显，则表明右边一端即为集电极c，左边的端子为发射极e。如果万用表指针基本不摆动，可改用手指同时捏住基极与左边的端子，若指针向右偏转较明显，则证明左边端子为集电极c，右边的端子为发射极e。 图5-32 判定三极管c、e极 如果在以上两次测量过程中万用表指针均不向右摆动和摆动的幅度不明显，则说明万用表给被测三极管提供的测试电压极性接反了，应将红、黑表笔对调位置后按上述步骤重新测试直到将管子的c、e极区分开为止。 用此种方法判定c、e电极的原理如图7-48(b)所示。在这里，基极偏置电阻Rb是用手指来代替的。由于被测管子的集电结上加有反向偏压，发射结加的是正向偏压，所以使其处在放大状态，此时电流放大倍数较高，所产生的集电极电流Ic要使万用表指针明显向右偏转。倘若红、黑表笔接反了，就等于工作电压接反了，管子也就不能正常工作了。放大倍数大大降低了，从十几倍降到几倍，甚至为零，因此，万用表指针摆幅极小甚至根本不动。 ③判别锗管和硅管 测试电路如图5-33所示。E为一节5V干电池，Rp为50～100kΩ的电阻。将万用表置于直流5V挡。电路接通以后，万用表所指示的便是被测管子的发射结正向压降。若是锗管，该电压值为2～3V；若是硅管，该电压值为6～8V。顺便指出，目前绝大多数硅管为NPN型管，锗管为PNP型管。图5-33测三极管b、e电压判别锗管与硅管 ④判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换使用的。由于高、低频管的型号不同，所以当它们的标志清楚时，可以查有关手册，较容易地直接加以区分。当它们的标志型号不清时，可利用其BVebo的不同用万用表测量发射结的反向电阻，将高、低频管区分开。 以NPN型管为例，将万用表置于R×1k挡，黑表笔接管子的发射结e，红表笔接管子的基极b。此时电阻值一般均在几百千欧以上。接着将万用表拔至R×10k高阻挡，红、黑表笔接法不变，重新测量一次e、b间的电阻值。若所测量阻值与第一次测得的阻值变化不大，可基本判定被测管为低频管；若阻值变化很大，超过万用表满度1/3，可基本判定被测管为高频管。
过去几十年间，我们身边的电子产品随着科技的发展发生着巨变：从笨重的大哥大到智能手机，从老式台式机到轻薄的笔记本，总的来说，电子产品的外观愈发轻薄，功能愈发强劲。其中最功不可没的，就是构成电子产品的基础元件：晶体管。晶体管尺度的缩小，集成度的提升，是现代电子器件科技水平的标尺。2016年最为新兴的晶体管技术可以实现1纳米（nm）的尺度，突破了之前预测的物理极限5nm。纳米是什么概念呢？一根头发丝的直径在3微米左右，一微米等于1000纳米，1纳米比一根头发丝还要细几千倍。什么是晶体管？或许你没有想象过，你的手机中一片不及指甲盖大小的芯片上竟然集成了数以千万计的晶体管，这些晶体管像是队列整齐、快速前进的士兵，用0和1的逻辑来实现了计算机最重要的存储和控制的功能。1947年，贝尔实验室诞生了世界上首个晶体管，是用锗（Ge）材料制成的。晶体管是一种有逻辑功能的最基础的电子器件，它的基本结构如下图，主要包括栅极（Gate）、源极（Source）以及漏极（Drain）。电流从源极流入漏极，而栅极像一道水闸一样控制着电流的导通和断开，从而实现了0和1的逻辑。电流的流动也像水流一样需要一个河道，在栅极和源极之间电流导通的通道叫做沟道，沟道宽度跟晶体管栅极最小宽度基本一致。所以晶体管栅极的最小宽度是影响晶体管尺度的关键因素，被用来作为工艺尺寸的标准。现今芯片的制造工艺常常用40nm、28nm、22nm、14nm、10nm、7nm来表示，比如Intel、三星、IBM、台积电等公司，都在为能够领跑行业先进技术持续进行着技术创新。近年Intel一直以其领先的14nm工艺技术成为行业领头羊，而今年10月，三星宣布量产10nm芯片，台积电紧随其后。另一方面，随着IBM公布了7nm的工艺测试芯片，更精微的芯片工艺竞争战役的号角被吹响。需要一提的是，这个制造工艺的数字，例如14nm指的不是晶体管的大小只有14nm，而是晶体管栅极的最小宽度。要实现这么高的集成度，企业一般采取的策略是通过光刻的手段，在一层层材料上像是雕刻家一样去掉多余的部分，刻蚀出我们需要的精细结构。摩尔定律失效！过去五十年间，晶体管尺度的缩小速度基本遵循着摩尔定律。摩尔定律是指当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。直到2016年年初，全球半导体行业才正式宣布摩尔定律失效。晶体管工艺尺度每缩小一次，都会让芯片的性能、功耗发生剧变，继而给我们使用的计算机、手机等电子产品的性能带来显而易见的进步。1nm晶体管的技术：二硫化钼与石墨烯为了提升速度和每片芯片上的元件数量，沟道长度在不断缩短，而短沟道效应随之产生。短沟道效应可能使得栅极这道闸门关不断电流，电流的泄露会使得晶体管的性能变坏。研究发现，当现在主流的硅（Si）晶体管的栅极宽度缩小到低于5nm，会出现严重的短沟道效应，所以5nm（有些地方说是7nm）被称为栅极宽度物理极限。为了突破这种极限，科研工作者们积极寻求着硅的替代品，其中，一些层状半导体因具有均匀的单原子层厚度、较低的介电常数、更大的带隙以及更重的有效载流子质量等特性得到了积极的研究，其中二硫化钼（MoS2）和石墨烯都是代表。 2016年10月，加州大学伯克利分校和斯坦福大学的学者在著名的《Science》杂志上合作发表了一篇备受关注的论文，文中展示了一种物理长度1nm的二硫化钼（MoS2）晶体管。这种晶体管用单壁碳纳米管作为栅极电极，被放置在氧化硅和氧化锆的分界面上，而MoS2作为源极和漏极之间的沟道。仿真结果显示，其有效沟道长度在关状态时约9nm，开状态约1nm，所以被称为1nm晶体管。其中，单壁碳纳米管（SWCNT）是什么呢？我们知道，石墨烯是单层的碳原子排列而成的，把单原子层的石墨烯卷起来，就是碳纳米管了。而碳纳米管剪开也就成了一片薄薄的石墨烯。1nm晶体管虽然已经实现了，但是其工业价值还有待时间的检验。在摩尔定律失效的现在，科学家追求的方向也在发生着改变。他们不再将更小更快的晶体管作为主要目标，而是从全新的角度去改变我们日常使用的电子产品，从策略上看，例如从软件层级的需要来改变硬件，从新兴技术上看，例如现在方兴未艾的量子计算机。过去我们已经见证了电子产品的进步和飞速发展，未来我们的电脑、手机也可能会具备更为超乎想象的卓越性能。参考文献[1] Desai S B, Madhvapathy S R, Sachid A B, MoS2 transistors with 1-nanometer gate lengths[J] Science, 2016,354(6308): 99-出品：科普中国制作：科创小新监制：中国科学院计算机网络信息中心“科普中国”是中国科协携同社会各方利用信息化手段开展科学传播的科学权威品牌。本文由科普中国融合创作出品，转载请注明出处。
写字的铅笔是物理实验中最简易、最方便的器材，下面列举数例并略加分析。 1．探究声音的传播 将铅笔一端放在口中，轻轻敲笔杆几下，再用牙齿咬住笔杆轻敲笔杆几下。发现后者的声音比前者大得多。因为前者声音是经过空气传到耳膜的，后者声音是经过牙齿、骨骼传到耳膜的。 2．长度的特殊的测量 铅笔除作为被测物体用来做刻度尺测长度的实验外，还可用来进行一些特殊测量：如用纸带缠住圆形铅笔，在重叠处打孔，展开后测两孔间距可知铅笔横截面圆周长；把细铜丝单层密绕在铅笔上，测出线圈总长度，除以匝数，可得铜丝直径。 3．演示减小摩擦方法 首先用弹簧测力计匀速拉动放在水平桌面上的木块，然后在木块下面放几支圆形铅笔，再用测力计匀速拉动，比较两次摩擦力，发现后者比前者小得多，因为前者是滑动摩擦，后者是滚动摩擦。 4．演示压强的大小 用小刀把长度适中的铅笔芯削尖，另一端仍为平面，把它放在左右两手食指间用力按，比较感觉，可用来验证在压力一定的情况下，压强与受力面积成反比。 5．演示物体的沉浮条件 把铅笔的下端绕上几圈铁丝，按入水中，使其竖直地浸没在盛水的烧杯中，放手后，铅笔上浮，最后竖直地浮在水中；若取出再增加铁丝匝数后，可使其下沉，以此来验证物体的沉浮条件。 6．演示导体和绝缘体 把电池、小灯泡、开关、导线组成的一个简单电路，将铅笔木质部分或铅笔芯串联在电路中，看灯泡是否发光，从而可演示导体与绝缘体的区别。
（1）联系工作实际选题要结合我国行政管理实践（特别是自身工作实际），提倡选择应用性较强的课题，特别鼓励结合当前社会实践亟待解决的实际问题进行研究。建议立足于本地甚至是本单位的工作进行选题。选题时可以考虑选些与自己工作有关的论题，将理论与实践紧密结合起来，使自己的实践工作经验上升为理论，或者以自己通过大学学习所掌握到的理论去分析和解决一些引起实际工作问题。（2）选题适当所谓选题要适当，就是指如何掌握好论题的广度与深度。选题要适当包括有两层意思：一是题目的大小要适当。题目的大小，也就是论题涉及内容的广度。确定题目的大小，要根据自己的写作能力而定。如果题目过大，为了论证好选题，需要组织的内容多，重点不易把握，论述难以深入，加上写作时间有限，最后会因力不胜任，难以完成，导致中途流产或者失败。相反，题目太小了，轻而易举，不费功夫，这样又往往反映不出学员通过几年大学阶段学习所掌握的知识水平，也失去从中锻炼和提高写作能力的机会，同时由于题目较小，难以展开论述，在字数上很难达到规定字数要求。此外，论文题目过小也不利于论文写作，结果为了凑字数，结尾部分东拼西凑，结构十分混乱。二题目的难易程度要适当。题目的难易程度，也就是论题涉及的深度。确定题目的难易，也要根据自己的写作能力而定，量力而为。题目难度过大，学员除了知识结构、时间和精力的限制外，资料搜集方面也有局限。这样，就会带来一些意想不到的困难，致使论文写了一半就写不下去了，中途要求另选题目。所以，在这个问题上的正确态度应该是：既不要脱离实际，好高骛远，去选一些自己不可能写好的论题；又不能贪图轻便，降低要求，去写一些随手可得的论题。（3）选题要新意所谓要有新意，就是要从自己已经掌握的理论知识出发，在研究前人研究成果的基础上，善于发现新问题，敢于提出前人没有提出过的，或者虽已提出来，但尚未得到定论或者未完全解决的问题。只要自己的论文观点正确鲜明，材料真实充分，论证深刻有力，也可能填补我国理论界对某些方面研究的空白，或者对以前有关学说的不足进行补充、深化和修正。这样，也就使论文具有新意，具有独创性。