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晶体生长期刊论文审核需要多久

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晶体生长期刊论文审核需要多久

论文的审核周期得分情况,分刊物。两方面来说:如果你是投稿到普刊,就是非核心期刊,审稿周期一般在1-2个月左右,如果是核心期刊,审稿周期在2-4个月左右。如果你是找论文发表机构投稿发表,普刊,审核周期在3-5个工作日,核心期刊在2个月左右。大多数情况下,建议作者自己投稿,如果实在投稿没有音讯或者想快速发表出来,可以找淘淘论文网这样的专业论文服务机构,2-3个月就能发表见刊。

1-3个月。从投稿后开始算,审核周期在1-3个月左右。快的话,一个月内有回复,慢的话,看能到2个月才能给你回复,告诉你是修改还是通过。如果3个月不回复的,就是没有通过。有些刊物在1-2个月内,就会告诉你,来稿没有被采纳,这样的。我说的是大部分期刊的情况。如果你着急发表,想快速发表出来,找淘淘论文网这样的机构,审核周期3-5个工作日,会快很多,发表周期会快3-5个月,但是费用也会贵一些。

因为复审一般就是作者收到审核意见,如果给的意见是让修改论文,那么按照复审意见的要求修改论文就可以了,修改之后的论文会再次提交进行审核。这一过程所需要的时间就是论文复审的时间

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晶体生长期刊论文审核需要多久才能过

看什么级别。。。

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晶体生长期刊论文审核需要多久出结果

见刊以后一般2-3个月能够被检索。见刊以后,杂志社需要制作同一版本的论文摘要,上传到EI数据库,审核以后才能被检索《人工晶体学报》(英文名称:Journal of Synthetic Crystals)是由中国硅酸盐学会晶体生长与材料专业委员会和中材人工晶体研究院联合主办、我国专门刊登人工晶体材料这一高新技术领域研究成果的学术性刊物。本刊以创新性为特色,以论文和简报等形式及时报道我国在晶体材料:光电子材料、半导体材料、太阳能电池材料、纳米材料、薄膜材料、超硬材料和高技术陶瓷等在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备、仪器设备以及应用技术和加工等方面的最新科研成果,同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动及会议信息。刊户覆盖以上各行业的大专院校、科研院所、企业、公司、省(市)图书馆及政府相关部门。本刊已在美、日、英、俄、德等国家和地区发行。 《人工晶体学报》为美国工程索引(EI)核心期刊,中文科技核心期刊、中文核心期刊。国外为 “化学文摘”(CA)、英国“科学文摘”(INSPEC)、日本“科技文献速报”(CBST,JICST)及俄罗斯“文摘杂志”(AJ)等数据库收录。国内被《中国期刊网全文数据库》、《中国学术期刊(光盘版)》和《万方数据库资源系统数字化期刊》、《维普-中文科技期刊数据库》等数据库收录。

核心期刊发表的难度本来就比较大,这个就要看你到底发什么方面的,而且还有时间要求,核心的发表的时间都是比较长的,如果真的是遇到了发表难题,我可以帮你!

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晶体生长论文

物质在一定温度、压力、浓度、介质、pH等条件下由气相、液相、固相转化,形成特定线度尺寸晶体的过程称为晶体生长。其原理基于物种晶相化学势与该物种在相关物相中化学势间准平衡关系的合理维持。如在溶液中的晶体生长要求在平衡溶解度附近溶质有一定合宜的过饱和度。晶体生长方法是多样的,如水热法生长人工水晶,区域熔融法生长硅、锗单晶、氢氧焰熔融法生长轴承用宝石,航天失重法培养晶体以及升华法;同质或异质外延生长法等。形成晶体的过程叫做结晶。在实际生产中,常常需要使物质从溶液中结晶析出,如从蔗汁中提取砂糖、从海水中提取精盐。

下面介绍关于晶体生长的两种主要的理论。 科塞尔(Kossel,1927)首先提出,后经斯特兰斯基(Stranski)加以发展的晶体的层生长理论亦称为科塞尔—斯特兰斯基理论。它是论述在晶核的光滑表面上生长一层原子面时,质点在界面上进入晶格座位的最佳位置是具有三面凹入角的位置(图I-2-1中k)。质点在此位置上与晶核结合成键放出的能量最大。因为每一个来自环境相的新质点在环境相与新相界面的晶格上就位时,最可能结合的位置是能量上最有利的位置,即结合成键时应该是成键数目最多,释放出能量最大的位置。图I一2—1示质点在生长中的晶体表面上所可能有的各种生长位置:k为曲折面,具有三面凹人角,是最有利的生长位置;其次是S阶梯面,具有二面凹入角的位置;最不利的生长位置是A。由此可以得出如下的结论即晶体在理想情况下生长时,先长一条行列,然后长相邻的行列。在长满一层面网后,再开始长第二层面网。晶面(最外的面网)是平行向外推移而生长的。这就是晶体的层生长理论,用它可以解释如下的一些生长现象。1)晶体常生长成为面平、棱直的多面体形态。2)在晶体生长的过程中,环境可能有所变化,不同时刻生成的晶体在物性(如颜色)和成分等方面可能有细微的变化,因而在晶体的断面上常常可以看到带状构造(图I-2-2)。它表明晶面是平行向外推移生长的。3)由于晶面是向外平行推移生长的,所以同种矿物不同晶体上对应晶面间的夹角不变。4)晶体由小长大,许多晶面向外平行移动的轨迹形成以晶体中心为顶点的锥状体称为生长锥或砂钟状构造(图I-2-3、I-2-4、I-2-5)。在薄片中常常能看到。然而晶体生长的实际情况要比简单层生长理论复杂得多。往往一次沉淀在一个晶面上的物质层的厚度可达几万或几十万个分子层。同时亦不一定是一层一层地顺序堆积,而是一层尚未长完,又有一个新层开始生长。这样继续生长下去的结果,使晶体表面不平坦,成为阶梯状称为晶面阶梯(图I-2-5)。科塞尔理论虽然有其正确的方面,但实际晶体生长过程并非完全按照二维层生长的机制进行的。因为当晶体的一层面网生长完成之后,再在其上开始生长第二层面网时有很大的困难,其原因是已长好的面网对溶液中质点的引力较小,不易克服质点的热振动使质点就位。因此,在过饱和度或过冷却度较低的情况下,晶的生长就需要用其它的生长机制加以解释。在晶体生长过程中,不同晶面的相对生长速度如何,在晶体上哪些晶面发育,下面介绍有关这方面的几种主要理论。 早在1855年,法国结晶学家布拉维(A.Bravis)从晶体具有空间格子构造的几何概念出发,论述了实际晶面与空间格子构造中面网之间的关系,即实际晶体的晶面常常平行网面结点密度最大的面网,这就是布拉维法则。布拉维的这一结论系根据晶体上不同晶面的相对生长速度与网面上结点的密度成反比的推论引导而出的。所谓晶面生长速度是指单位时间内晶面在其垂直方向上增长的厚度。如图I一2—9所示,晶面AB的网面上结点的密度最大,网面间距也最大,网面对外来质点的引力小,生长速度慢,晶面横向扩展,最终保留在晶体上;CD晶面次之;BC晶面的网面上结点密度最小,网面间距也就小,网面对外来质点引力大,生长速度最快,横向逐渐缩小以致晶面最终消失;因此,实际晶体上的晶面常是网面上结点密度较大的面。总体看来,布拉维法则阐明了晶面发育的基本规律。但由于当时晶体中质点的具体排列尚属未知,布拉维所依据的仅是由抽象的结点所组成的空间格子,而非真实的晶体结构。因此,在某些情况下可能会与实际情况产生一些偏离。1937年美国结晶学家唐内—哈克(Donnay-Harker)进一步考虑了晶体构造中周期性平移(体现为空间格子)以外的其他对称要素(如螺旋轴、滑移面)对某些方向面网上结点密度的影响,从而扩大了布拉维法则的适用范围。布拉维法则的另一不足之处是,只考虑了晶体的本身,而忽略了生长晶体的介质条件。由液相变为固相 由气相变为固相 由固相再结晶为固相晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种,即气相、液相和固相。只有晶体才是真正的固体。由气相、液相转变成固相时形成晶体,固相之间也可以直接产生转变。由液相变为固相(1)从熔体中结晶 当温度低于熔点时,晶体开始析出,也就是说,只有当熔体过冷却时晶体才能发生。如水在温度低于零摄氏度时结晶成冰;金属熔体冷却到熔点以下结晶成金属晶体。(2)从溶液中结晶 当溶液达到过饱和时,才能析出晶体。其方式有:1)温度降低,如岩浆期后的热液越远离岩浆源则温度将渐次降低,各种矿物晶体陆续析出; 2)水分蒸发,如天然盐湖卤水蒸发, 3)通过化学反应,生成难溶物质。决定晶体生长的形态,内因是基本的,而生成时所处的外界环境对晶体形态的影响也很大。同一种晶体在不同的条件生长时,晶体形态是可能有所差别的。现就影响晶体生长的几种主要的外部因素分述如下。涡流 温度 杂质 粘度 结晶速度影响晶体生长的外部因素还有很多,如晶体析出的先后次序也影响晶体形态,先析出者有较多自由空间,晶形完整,成自形晶;较后生长的则形成半自形晶或他形晶。同一种矿物的天然晶体于不同的地质条件下形成时,在形态上、物理性质上部可能显示不同的特征,这些特征标志着晶体的生长环境,称为标型特征。1.晶体的溶解把晶体置于不饱和溶液中晶体就开始镕解。由于角顶和棱与溶剂接触的机会多,所以这些地方溶解得快些,因而晶体可溶成近似球状。如明矾的八面体溶解后成近于球形的八面体(图I一2—14)。晶面溶解时,将首先在一些薄弱地方溶解出小凹坑,称为蚀像。经在镜下观察,这些蚀象是由各种次生小晶面组成。图I一2—15表示方解石与白云石(b)晶体上的蚀像。不同网面密度的晶面溶解时,网面密度大的晶面先溶解,因为网面密度大的晶面团面间距大,容易破坏。2.晶体的再生破坏了的和溶解了的晶体处于合适的环境又可恢复多面体形态,称为晶体的再生如班岩中石英颗粒的再生。溶解和再生不是简单的相反的现象。晶体溶解时,溶解速度是随方向逐渐变化的,因而晶体溶解可形成近于球形;晶体再生时,生长速度随方向的改变而突变,因之晶体又可以恢复成几何多面体形态。晶体在自然界的生长往往不是直线型进行的,溶解和再生在自然界常交替出现,使晶体表面呈复杂的形态。如在晶体上生成一些窄小的晶面,或者在晶面上生成一些特殊的突起和花纹。

晶体生长期刊

crystals刊期属于第四区,晶体(ISSN2073-4352)是一本开放的期刊,涵盖了晶体材料研究的各个方面。晶体为增进我们对晶体和液晶材料的形核、生长、加工和表征的理解提供了一个论坛。它们的机械、化学、电子、磁性和光学特性,以及它们的各种应用,都被认为是重要的。此外,我们鼓励撰稿人发表有关晶体研究(小分子量和高分子量)的文章。利用现代晶体生长技术和高分辨率表征(如同步辐射)以及现代无X射线电子激光器(xfels)晶体生长方法对其进行表征也将受到欢迎。 晶体可作为晶体研究界的参考和出版物来源。晶体发表评论、定期研究文章和简短的交流。我们的目标是鼓励科学家尽可能详细地公布他们的实验、理论和计算结果,以便能够重现结果

Crystal growth and design 是一本不错的杂志。希望能有帮助!

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