由浙江大学硅材料国家重点实验室和信息学院半导体光电子技术与系统研究所共同承办的“信息功能薄膜材料与光子晶体高级研讨班”于今天上午开始在浙江大学进行为期4天的学术交流和研讨活动。 硅基光电子材料与集成器件、聚合物光电子材料与集成器件是当前信息技术、新材料科学的前沿课题，受到国内外信息和材料学科领域科技工作者的广泛关注。中国科学院王启明院士、清华大学“973”首席科学家罗毅教授等来自各大专院校、研究所及企业研究机构的专家、学者50余人，在研讨班上对各自取得的研究成果进行交流，以促进我国硅基光电子集成及聚合物光电子集成技术的发展。 这次研讨班的主要论题集中在对多孔Si的发光研究上。上午，王启明院士为大会做了特邀报告，介绍了近10年来科学家们对Si基发光的理论研究和应用目标研究的突破性成就；在接下来的时间里，与会专家将就与Si基发光器件的特性和研制相关的课题进行交流和研讨。 本次会议得到了国家人事部“百千万人才工程”基金、教育部和浙江省人才基金的计划资助，是为迎接WTO的挑战，提高专业技术人员素质，大力推进新世纪人才工程的一项重要举措。两年来，已有药物学、机械制造、农学等学科的高级研讨班在浙江大学举办。
半导体激光器解析 半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。像晶体二极管一样，半导体激光器也以材料的p-n结特性为基础，且外观亦与前者类似，因此，半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。早期的激光二极管有很多实际限制，例如，只能在77K低温下以微秒脉冲工作，过了8年多时间，才由贝尔实验室和列宁格勒（现在的圣彼得堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造出能在室温下工作的连续器件。而足够可靠的半导体激光器则直到70年代中期才出现。半导体激光器体积非常小，最小的只有米粒那样大。工作波长依赖于激光材料，一般为6～55微米，由于多种应用的需要，更短波长的器件在发展中。据报导，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为工作物质的激光器，低温下已得到46微米的输出，而波长50～51微米的室温连续器件输出功率已达10毫瓦以上。但迄今尚未实现商品化。光纤通信是半导体激光可预见的最重要的应用领域，一方面是世界范围的远距离海底光纤通信，另一方面则是各种地区网。后者包括高速计算机网、航空电子系统、卫生通讯网、高清晰度闭路电视网等。但就目前而言，激光唱机是这类器件的最大市场。其他应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示，及各种医疗应用等。晶体管利用一种称为半导体的材料的特殊性能。电流由运动的电子承载。普通的金属，如铜是电的好导体，因为它们的电子没有紧密的和原子核相连，很容易被一个正电荷吸引。其它的物体，例如橡胶，是绝缘体 --电的不良导体--因为它们的电子不能自由运动。半导体，正如它们的名字暗示的那样，处于两者之间，它们通常情况下象绝缘体，但是在某种条件下会导电。对半导体的早期研究集中在硅上，但硅本身不能发射激光。1948年贝尔实验室的William Schockley，Walter Brattain 和 John Bardeen 发明的晶体管。这一发明推动了对其它半导体裁的研究发展进程。它也为利用半导体中的发射激光奠定了概念性基础。1952年，德国西门子公司的 Heinrich Welker指出周期表第III和第V列之间的元素合成的半导体对电子装置有潜在的用途。其中之一，砷化镓或GaAs，它在寻找一种有效的通讯激光中扮演了重要角色。对砷化镓（GaAs）的研究涉及到三个方面的研究：高纯度晶体的叠层成长的研究，对缺陷和掺杂剂（对一种纯物质添加杂质，以改变其性能）的研究以及对热化合物稳定性的影响的分析。有了这些研究成果，通用电器，IBM和麻省理工大学林肯实验室的研究小组在1962年研制出砷化镓（GaAs）激光发生器。但是有一个老问题始终悬而未决：过热。使用单一半导体，（通常是GaAs）的激光发生器效率不是很高。它们仍需大量的电来激发激光作用，而在正常的室温下，这些电很快就使它们过热。只有脉冲操作才有可能避免过热（脉冲操作：电路或设备在能源以脉冲方式提供时的工作方式），可是通过这种工作方式不能通讯传输。科学家们尝试了各种方法来驱热一例如把激光发生器放在其它好的热导体材料上，但是都没成功。然后在 1963年，克罗拉多大学的Herbert Kroemer提出了一种不同的的方式--制造一个由半导体"三明治"组成的激光发生器，即把一个薄薄的活跃层嵌在两条材料不同的板之间。把激光作用限制在薄的活跃层里只需要很少的电流，并会使热输出量保吃持在可控范围之内。这样一种激光发生器不是只靠象把奶酪夹在两片面包那样，简单地塞进一个活跃层就能制造出来的。半导体晶体中的原子以点阵的方式排列，由电子组成化学键。要想制造出一个在两个原子之间有必要电子键连接的多层半导体，这个装置必须是由一元半导体单元组成，我们称之为多层晶体。 1967年，贝尔实验室的研究员Morton Panish 和 Izuo Hayashi 提出了用GaAs的修改型--即其中几个铝原子代替一些镓，一种称为"掺杂"的过程-- 来创造一种合适的多层晶体的可能性的建议。这种修改型的化合物，AlGaAs, 的原子间隔和GaAs相差不到1000分之一。研究人员提出，把 AlGaAs种植在GaAs 薄层的任何一边，它都会把所有的激光作用限制在GaAs层内。在他们面前，还要有几年的工作，但是通向"不间断状态" 激光发生器-在室温下仍能持续工作的微型半导体装置-的大门已经敞开了。还有一个障碍：怎样发射跨过长距离的光信号。长波无线电波可以很容易穿透浓雾和大雨，在空气中自由传播，但是短波激光会被空气中的水蒸气和其它颗粒反射回来，以至于不是被分散就是被阻挡住。一个多雾的天气会使激光通讯联络终断，因此光需要一个类似于电话线的导管。
半导体半导体发展前景会比较好吧而且你数电模电都不好选半导体
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半导体激光器解析 半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。像晶体二极管一样，半导体激光器也以材料的p-n结特性为基础，且外观亦与前者类似，因此，半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。早期的激光二极管有很多实际限制，例如，只能在77K低温下以微秒脉冲工作，过了8年多时间，才由贝尔实验室和列宁格勒（现在的圣彼得堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造出能在室温下工作的连续器件。而足够可靠的半导体激光器则直到70年代中期才出现。半导体激光器体积非常小，最小的只有米粒那样大。工作波长依赖于激光材料，一般为6～55微米，由于多种应用的需要，更短波长的器件在发展中。据报导，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为工作物质的激光器，低温下已得到46微米的输出，而波长50～51微米的室温连续器件输出功率已达10毫瓦以上。但迄今尚未实现商品化。光纤通信是半导体激光可预见的最重要的应用领域，一方面是世界范围的远距离海底光纤通信，另一方面则是各种地区网。后者包括高速计算机网、航空电子系统、卫生通讯网、高清晰度闭路电视网等。但就目前而言，激光唱机是这类器件的最大市场。其他应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示，及各种医疗应用等。晶体管利用一种称为半导体的材料的特殊性能。电流由运动的电子承载。普通的金属，如铜是电的好导体，因为它们的电子没有紧密的和原子核相连，很容易被一个正电荷吸引。其它的物体，例如橡胶，是绝缘体 --电的不良导体--因为它们的电子不能自由运动。半导体，正如它们的名字暗示的那样，处于两者之间，它们通常情况下象绝缘体，但是在某种条件下会导电。对半导体的早期研究集中在硅上，但硅本身不能发射激光。1948年贝尔实验室的William Schockley，Walter Brattain 和 John Bardeen 发明的晶体管。这一发明推动了对其它半导体裁的研究发展进程。它也为利用半导体中的发射激光奠定了概念性基础。1952年，德国西门子公司的 Heinrich Welker指出周期表第III和第V列之间的元素合成的半导体对电子装置有潜在的用途。其中之一，砷化镓或GaAs，它在寻找一种有效的通讯激光中扮演了重要角色。对砷化镓（GaAs）的研究涉及到三个方面的研究：高纯度晶体的叠层成长的研究，对缺陷和掺杂剂（对一种纯物质添加杂质，以改变其性能）的研究以及对热化合物稳定性的影响的分析。有了这些研究成果，通用电器，IBM和麻省理工大学林肯实验室的研究小组在1962年研制出砷化镓（GaAs）激光发生器。但是有一个老问题始终悬而未决：过热。使用单一半导体，（通常是GaAs）的激光发生器效率不是很高。它们仍需大量的电来激发激光作用，而在正常的室温下，这些电很快就使它们过热。只有脉冲操作才有可能避免过热（脉冲操作：电路或设备在能源以脉冲方式提供时的工作方式），可是通过这种工作方式不能通讯传输。科学家们尝试了各种方法来驱热一例如把激光发生器放在其它好的热导体材料上，但是都没成功。然后在 1963年，克罗拉多大学的Herbert Kroemer提出了一种不同的的方式--制造一个由半导体"三明治"组成的激光发生器，即把一个薄薄的活跃层嵌在两条材料不同的板之间。把激光作用限制在薄的活跃层里只需要很少的电流，并会使热输出量保吃持在可控范围之内。这样一种激光发生器不是只靠象把奶酪夹在两片面包那样，简单地塞进一个活跃层就能制造出来的。半导体晶体中的原子以点阵的方式排列，由电子组成化学键。要想制造出一个在两个原子之间有必要电子键连接的多层半导体，这个装置必须是由一元半导体单元组成，我们称之为多层晶体。 1967年，贝尔实验室的研究员Morton Panish 和 Izuo Hayashi 提出了用GaAs的修改型--即其中几个铝原子代替一些镓，一种称为"掺杂"的过程-- 来创造一种合适的多层晶体的可能性的建议。这种修改型的化合物，AlGaAs, 的原子间隔和GaAs相差不到1000分之一。研究人员提出，把 AlGaAs种植在GaAs 薄层的任何一边，它都会把所有的激光作用限制在GaAs层内。在他们面前，还要有几年的工作，但是通向"不间断状态" 激光发生器-在室温下仍能持续工作的微型半导体装置-的大门已经敞开了。还有一个障碍：怎样发射跨过长距离的光信号。长波无线电波可以很容易穿透浓雾和大雨，在空气中自由传播，但是短波激光会被空气中的水蒸气和其它颗粒反射回来，以至于不是被分散就是被阻挡住。一个多雾的天气会使激光通讯联络终断，因此光需要一个类似于电话线的导管。
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刊名： 半导体技术 Semiconductor Technology主办： 中国半导体行业协会;半导体专业情报网;中国电子科技集团公司第十三所周期： 月刊出版地：河北省石家庄市语种： 中文;开本： 大16开ISSN： 1003-353XCN： 13-1109/TN邮发代号：18-65历史沿革：现用刊名：半导体技术创刊时间：1976该刊被以下数据库收录：CA 化学文摘(美)(2011)SA 科学文摘(英)(2011)JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)(2013)Pж(AJ) 文摘杂志(俄)(2011)CSCD 中国科学引文数据库来源期刊（2013-2014年度）（含扩展版）核心期刊：中文核心期刊(2011)中文核心期刊(2008)中文核心期刊(2004)中文核心期刊(2000)中文核心期刊(1996)中文核心期刊(1992)期刊荣誉：Caj-cd规范获奖期刊一般情况下 一篇核心就可以吧
不懂，碳纤材料是导电的，低密度高强度耐高温耐腐蚀打个广告，有需要了解的可以联系
楼上回答得太精彩了！赞一个！
能实现光能和电能之间相互转化的，或者能对光和电的信号进行各种处理和放大。日常生活中也多见。能把光转化为电能的：如硅光电池。平时我们用的太阳能计算器就是利用硅光电池的。能把电能转化为光的：如发光二极管（LED）这些都是半导体光电材料
能进行和实现光电转换的半导体材料就叫半导体光电材料。
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您好，不是微纳电子系的，不太清楚，但是能够查到微纳电子系研究生培养方案。一、简介我所研究生培养一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学与固体电子学。研究方向有以下五个方面：微/纳电子器件及系统;集成电路与系统;集成电路工艺与纳米加工技术;半导体器件物理与CAD;纳电子学与量子信息技术。我所研究生课程共设置27门;目前在校学生数：博士生85人;硕士生:343人(包括工程硕士243人)。2009年共招收研究生136名(其中博士生19名，工学硕士研究生26名，工程硕士研究生91名);毕业研究生105名(授予博士学位14名，工学硕士学位22名，工程硕士学位69名。二、课程设置研究生课程共设置27门，本年度已开课程23门。具体内容介绍如下：课程编号：71020013 课程名称： 半导体器件物理进展 任课教师：许 军 内容简介：半导体复杂能带结构与晶体对称性分析;载流子散射理论与强场热载流子输运;短沟MOS器件物理;异质结构物理与异质结器件;半导体的光电子效应与发光;非晶半导体与器件。 课程编号：71020023 课程名称：数字大规模集成电路 任课教师：周润德 内容简介：VLSI小尺寸器件的模型和物理问题;MOS数字VLSI的原理、结构和设计方法;VLSI电路中的时延及各种时钟技术;VLSI的同步时钟和异步时钟系统;逻辑和存储器的VLSI系统设计方法及VLSI的并行算法和体系结构。 课程编号：71020033 课程名称：模拟大规模集成电路 任课教师：李福乐 王志华内容简介：本课程是在本科课程《模拟电子电路》、《模拟集成电路分析与设计》之后的专业课程。目的是学习模拟集成电路的设计规律和方法，增加设计出电路的可制造性，提高一次性设计成功的可能性。课程内容包括：器件模型与电路仿真、模拟集成电路单元、放大器设计、高性能放大器、比较器、A/D与D/A变换电路、芯片的输入与输出、可制造性与可测试性、版图与封装等。 课程编号：71020043 课程名称：数字VLSI系统的高层次综合 任课教师：魏少军 内容简介：VHDL语言简介，设计流程，行为描述与仿真，行为描述与目标结构的匹配，数据通道设计，控制器设计，测试向量生成，系统验证;行为设计和数据通道与控制器的设计与优化;综合VHDL描述，算子调度，资源分配，寄存器优化，控制码生成，控制器结构选择，状态化简。 课程编号：71020053 课程名称：集成电路的计算机辅助设计 任课教师：余志平 叶佐昌 内容简介：射频(RF)电路的硅CMOS工艺实现。深亚微米器件的射频特性和模型。RF发送接收器的单元电路(LNA，VCO，PLL，频率综合器，功率放大器等)的分析和设计。衬底耦合及混合数字，模拟，射频电路设计的相关问题和解决方法。 课程编号：71020062 课程名称：集成电路制造工艺与设备 任课教师：王水弟 内容简介：整个课程从拉单晶硅工艺开始，讲到现代集成电路的新型封装，使学生知道除电路设计以外的集成电路制造工艺过程。重点是详细讲解集成电路制造中的各种单项工艺技术及相关的工艺设备，并用动画的形式，演示一个双阱CMOS反相器的整个制作工艺流程，使学生直观地知道各单项工艺的具体应用。针对MEMS技术的飞速发展，专门有一章介绍了IC制造工艺在MEMS器件制造中的应用。课程还简单介绍了与集成电路制造密切相关的洁净技术，最后对于集成电路进入纳米时代后的一些关键技术及技术难点予以简单介绍。 课程编号：71020073 课程名称：射频CMOS集成电路设计任课教师：池保勇内容简介：通过本课的学习，学生能对无线通讯中的射频收发器的结构，高频低噪音放大器，混频器，振荡器，压控振荡器以及锁相环的工作原理，电路分析和设计能有基本的掌握。参课学生对整个射频集成电路的设计有一个完整的训练。方法一，课内讲课，用国际公认的教材。教课学时计划占总学时的一半;方法二，用国际集成电路工业界通用的设计工具对学生进行培训;方法三，每一位上课的学生，将设计一个或数个射频电路模块;方法四，争取将设计成功的射频电路模块在工业界流水线能投片，流水，封装和测试。 课程编号：81020012 课程名称：超大规模集成网络 任课教师：陈志良 停开 内容简介：当前VLSI网络的发展水平、动向和研究重点、开关电容网络、连续时间网络、人工神经网络、模糊逻辑电路和系统，以及新型开关电流网络与高性能DC-DC变换器等。 课程编号：80260012 课程名称：集成电路设计实践任课教师：李福乐内容简介：通过一个具体的课程项目设计，实现基于CMOS工艺的全定制设计，从总体方案与结构、电路设计与仿真、版图设计与验证到流片测试的全过程训练。 课程编号：80260023 课程名称：密码学与网络安全任课教师：白国强 本年度未开内容简介：传统加密技术;密码算法的数学基础;现代对称加密技术(DES,AES,RC4);非对称加密方法与技术(RSA,ECC);密码功能设置与密钥管理;消息认证和Hash算法;数字签名和认证协议;网络安全协议。 课程编号：70260013 课程名称：数字集成系统设计任课教师：张春内容简介：本课程采用硬件描述语言作为设计输入手段，讲授数字集成系统的设计方法和高层次综合技术。本课程还讲授可编程器件的原理和设计技术，并通过上机实验培养实际动手能力。 课程编号：80260032 课程名称：新型微纳电子材料与器件任课教师：任天令内容简介：本课程结合国际研究前沿，介绍新型微纳电子材料及器件基本概念、原理与方法。主要内容包括：新型介电材料与集成器件、磁电子材料与器件、低维半导体材料与器件、 分子电子材料与器件等。 课程编号：80260042 课程名称：PLL设计与时钟/频率产生任课教师：李宇根内容简介：本课程介绍锁相环的产生，帮助学生获得针对用于有线和无线通信的锁相环的系统透视方法和电路设计方法。课程的前一半将介绍锁相环的基础理论分析和系统电路设计方法;后一半包含用于不同锁相环应用的材料介绍，和更深入的专题：频率分析，时钟数据恢复，延时锁定环，片上可测性及其补偿，SoC设计中的耦合问题以及未来的挑战。其中耦合问题，可测性问题，片上补偿对于SoC设计和混合信号IC设计也非常有用。 课程编号：80260052 课程名称：半导体存储器技术任课教师：潘立阳内容简介：半导体存储器是微电子技术发展的重要研究领域和支撑技术。本课程主旨为通过对各种主流存储器的基本理论、器件、电路及工艺技术和新型存储器技术的综合讲解，促进学生掌握半导体存储器的设计实现方法，并提高对专业知识的综合应用能力。 课程编号：80260062 课程名称：嵌入式系统设计与实践任课教师：李兆麟内容简介：随着信息化、智能化、网络化的发展，嵌入式系统获得了广大的发展空间，已经应用到了通信、工业监控、国防军事、交通通信、医疗卫生以及人们日常生活的各个方面。本课程通过讲授的方式，并结合课程实践，全面地介绍嵌入式系统的基本原理和实践方法。学生可以通过课堂学习与亲自动手实践，能够充分掌握嵌入式系统的基本知识;软硬件协同设计方法;如何设计复杂的嵌入式系统;嵌入式操作系统以及低功耗设计等。 课程编号：81020022 课程名称：微处理器结构及设计 任课教师：李树国 内容简介：微处理器发展简史;微计算机及微处理器性能评测;指令级结构设计与RISC技术;数据通路与控制单元设计;流水线技术;存储管理与Cache设计;微处理器发展趋势。 课程编号：81020032 课程名称：大规模集成电路测试方法学概论 任课教师：孙义和 内容简介：VLSI逻辑模型和逻辑模拟、VLSI故障模型和故障模拟、VLSI测试生成方法和自动测试图案产生、智能VLSI测试方法和测试图案生成方法、可测性设计的度量和方法、系统层的故障建模和测试生成，以及集成CAI工作中心形成方案和途径等。 课程编号：81020042 课程名称：微电子封装技术 任课教师：蔡坚 内容简介：微电子封装的现状和发展趋势，封装的主要性能指标及电、热、热力学等方面的设计，集成电路封装的主要制造工艺及所用材料，集成电路封装的选择原则及封装的主要失效模式等。 课程编号：81020052 课程名称：微米/纳米技术物理 本年度未开 任课教师：刘泽文 内容简介：有关制作微米/纳米器件及结构的各种技术及其物理原理，包括抗蚀性原理，光学光刻，离子束、电子束、X射线的形成及其与物质的相互作用的物理过程，干法及蚀法刻蚀原理。 课程编号：81020062 课程名称：微机电系统(MEMS) 任课教师：刘理天 内容简介：MEMS的组成、结构、基本原理、设计方法与制作技术，介绍几类典型的MEMS器件;微集成传感器、微执行器和微系统，介绍MEMS在信息、生物、医学、宇航等领域中的应用。 课程编号：81020082 课程名称：VLSI数字信号处理 任课教师：陈弘毅 刘雷波 内容简介：数字信号处理是音视频、通信、测量、导航、信息安全等诸多应用的基础，本课程讲授各种数字信号处理算法的VLSI系统实现的方法与技术，用以指导VLSI芯片设计，达到速度-面积-功耗最优化。 课程编号：81020132 课程名称：集成电路制造与生产管理 任课教师：张志刚 内容简介：运作管理;IC生产工艺技术管理;IC生产流程管理;学习曲线;线性规划在运作管理中的典型运用;实际IC生产计划系统;质量管理引言;统计过程控制(SPC);过程能力研究;供应链管理;独立需求库存系统;IC-CAM系统简介;IC虚拟制造。 课程编号：91020012 课程名称：微电子学最新进展 任课教师：刘理天等 内容简介：MOSFET器件极限、ULSI工艺、设计及封装课题、从微电子到纳电子;深亚微米集成电路设计、数字信号处理及其VLSI实现;微电子机械系统的结构、原理和制作技术及典型器件，模糊控制原理、算法及硬件实现;微处理器最新体系结构及并行处理技术。 课程编号：80260032 课程名称：新型微纳电子材料与器件 任课教师：任天令 内容简介：课程内容有两部分。一是集成铁电学的基本理论和方法，包括铁电体的结构与基本性质、材料与工艺、器件集成、测试与表征等。二是集成铁电学的应用，包括铁电存储器、MEMS器件、高频器件、红外探测器件等。 课程编号：81020112 课程名称：纳米电子器件 任课教师：王燕 内容简介：纳米电子器件概论;单电子晶体管的原理及应用;共振随穿二极管的原理及应用;碳纳米管的电子结构及其应用;纳米加工技术——通向纳米世界的桥梁。 课程编号：81020122 课程名称：CMOS集成电路制造实验任课教师：刘志弘内容简介：通过本课程的学习能使学生从原来的半导体(集成电路)理论知识的学习真正得到实践的机会。在CMOS集成电路的自我实践和制作中达到理论联系实际的目的。目标：利用以上实验室装备和24小时运行机制，使每个学生都能达到自我制作CMOS集成电路的目标。最终具备独立动手能力及分析能力。保证使用的工艺技术及装备达到目前国内35-8微米技术水平。 课程编号：81020142 课程名称：IC设计与方法任课教师：张春内容简介：本课程旨在使学生对于IC设计的技术及流程建立完整的概念，学习和了解IC设计的方法， 掌握IC设计的工具。通过该课程的学习及实验，培养IC设计的实际动手能力。 四、学位论文共有2篇博士论文获奖，一篇获清华大学优秀博士论文一等奖;一篇获清华大学优秀博士论文二等奖，7篇硕士论文被评为清华大学校级优秀硕士论文。欢迎向158教育在线知道提问